TK5A90E, transistor MOSFET de la Manche des transistors 4.5A 900V 3.1Ohms N de S4X NPN PNP

Number modèle:TK5A90E, S4X
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TK5A90E, transistor MOSFET de changement de N-canal des régulateurs de tension de S4X 4.5A 900V 3.1Ohms

Applications

Régulateurs de tension de changement

Description

Les transistors MOSFET VII de π-MOS de Toshiba sont commande de la porte 10V, dispositifs simples de N-canal, combinant la technologie π-MOS avec

un processus planaire pour fournir un large choix de tension et de RDS (DESSUS)estimations. Ces transistors MOSFET haute tension sont

offert avec une gamme de tension de drain-source de 250V jusqu' 650V, et avec une gamme actuelle de drain de 2A 20A.

Les transistors MOSFET π-MOS VII sont offerts dans TO-220-3 et TO-252 par des paquets de trou, et DPAK-3 compact et

Paquets de bti de la surface PW-Mold-3.

                                                 

Caractéristiques

                                                                                                              
(1) basse sur-résistance de drain-source : Ω 2,5 du RDS (DESSUS) = (type.)
(2) bas courant de fuite : IDSS = µA 10 (maximum) (VDS = 720 V)
(3) mode d'amélioration : Vth = 2,5 4,0 V (VDS = 10 V, identifications = 0,45 mA)

Caractéristiques

Attribut de produitValeur d'attribut
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Par le trou
TO-220-3
N-canal
La 1 Manche
900 V
4,5 A
3,1 ohms
- 30 V, + 30 V
2,5 V
20 OR
- 55 C
+ 150 C
40 W
Amélioration
MOSVII
Tube
Marque :Toshiba
Configuration :Simple
Temps de chute :15 NS
Temps de montée :25 NS

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TK5A90E, transistor MOSFET de la Manche des transistors 4.5A 900V 3.1Ohms N de S4X NPN PNP

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