Transistor à effet de champ de TK13A60D TOSHIBA

Number modèle:TK13A60D
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Détails du produit

TK13A60D (STA4, Q, M) transistor effet de champ de TOSHIBA 13A 600V MOS de N-canal de 0,33 ohms

La Manche MOS Type du silicium N de transistor effet de champ de TOSHIBA

Applications

Régulateurs de tension de changement

Description

Les transistors MOSFET VII de π-MOS de Toshiba sont commande de la porte 10V, dispositifs simples de N-canal, combinant la technologie π-MOS avec

un processus planaire pour fournir un large choix de tension et de RDS (DESSUS)estimations. Ces transistors MOSFET haute tension sont

offert avec une gamme de tension de drain-source de 250V jusqu' 650V, et avec une gamme actuelle de drain de 2A 20A.

Les transistors MOSFET π-MOS VII sont offerts dans TO-220-3 et TO-252 par des paquets de trou, et DPAK-3 compact et

Paquets de bti de la surface PW-Mold-3.

                                                 

Caractéristiques

                                                                                                              
Basse Sur-résistance de drain-source : Le RDS (DESSUS) = 0,33 Ω (type.)
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 6,5 S (type.)
• Bas courant de fuite : IDSS = μA 10 (maximum) (VDS = 600 V)
• Mode d'amélioration : Vth = 2,0 4,0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)

Caractéristiques

Attribut de produitValeur d'attribut
Toshiba
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
SI
Par le trou
TO-220-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
13 A
430 mOhms
- 30 V, + 30 V
2 V
40 OR
- 55 C
+ 150 C
50 W
Amélioration
TK13A60D
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque :Toshiba
Configuration :Simple
Temps de chute :25 NS
Taille :15 millimètres
Longueur :10 millimètres
Temps de montée :50 NS

Guide marchand

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