Transistor 35A 650V de puissance élevée de TK35N65W
Number modèle:TK35N65W
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Shenzhen Guangdong China
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Alimentation d'énergie de changement élevée de la tension 270W 115nC 80 MOhms du transistor 35A 650V de puissance de TK35N65W
Applications
Régulateurs de tension de changement
Transistors MOSFET de série de DTMOSIV
Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV employer le processus épitaxial simple de pointe, qui fournit un 30%
réduction du RDS (dessus), un facteur de mérite (FOM) pour des transistors MOSFET, comparé son prédécesseur, DTMOSIII.
Cette réduction du RDS (dessus) permet pour loger les puces inférieures du RDS (dessus) dans les mêmes paquets.
Ceci aide améliorer l'efficacité et réduire la taille des alimentations d'énergie. Transistors MOSFET de Toshiba DTMOSIV
soyez idéal pour l'usage avec des régulateurs de commutation.
Caractéristiques
(1) temps de rétablissement inverse rapide : trr = 130 NS (type.)
(2) basse sur-résistance de drain-source : Le RDS (DESSUS) = 0,08 Ω
(type.) par utilisés la structure superbe de jonction : DTMOS
(3) facile de commander la commutation de porte
(4) mode d'amélioration : Vth = 3 4,5 V (VDS = 10 V,
identifications = 2,1 mA)
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| Par le trou | |
| TO-247-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 650 V | |
| 35 A | |
| 80 mOhms | |
| - 30 V, + 30 V | |
| 4,5 V | |
| 115 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 270 W | |
| Tube | |
| Taille : | 20,95 millimètres |
| Longueur : | 15,94 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
Guide marchand
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