Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI

Number modèle:JDCD01-001-018
Point d'origine:Suzhou Chine
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:10000pcs/Month
Délai de livraison:3-4 jours de la semaine
Détails de empaquetage:Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
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Adresse: Bâtiment 11, voie 1333, avenue Jiangnan, ville de Changxing, district de Chongming, Shanghai
dernière connexion fois fournisseur: dans 2 heures
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5*10.5mm2Face SP (20-21)/(20-2-1) Substrat monocristallin de GaN autonome de type SI non dopé Résistivité > 106Plaquette de dispositifs RF Ω·cm



Aperçu

Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité.Il est fabriqué avec la méthode HVPE originale et la technologie de traitement des plaquettes, développée l'origine depuis de nombreuses années.Les caractéristiques sont une haute cristallinité, une bonne uniformité et une qualité de surface supérieure.


(20-21)/(20-2-1) Funce Free-Stunndjeng gunN SousStrates
Article

GaN-FS-SP-US

GaN-FS-SP-NS

GaN-FS-SP-SI-S


Remarques:

Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière.

Dimensions5 x 10 mm2
Épaisseur350 ±25 µm
Orientation

(20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5°

(20-21)/(20-2- 1) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2°

Type de conductionType NType NSemi-isolant
Résistivité (300K)< 0,1 Ω·cm< 0,05 Ω·cm> 106Ω·cm
TTV≤ 10 µm
ARC- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de la surface avant

< 0,2 nm (poli);

ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)

Rugosité de la surface arrière

0,5 ~ 1,5 μm

option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)

Densité de luxationA partir de 1 x 105 3 x 106cm-2
Densité des macro-défauts0cm-2
Surface utilisable> 90% (exclusion des bords)
EmballerConditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote

Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect


Si δ1= 0 ±0,5°, alors (20-21)/(20-2-1) l'angle du plan vers l'axe A est de 0 ±0,5°.

Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors (20-21)/(20-2- 1) l'angle du plan vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.


propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grce notre bonne réputation.


FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
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ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
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Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T l'avance, solde avant expédition.

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Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI

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