SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um

5 x 10 mm²Substrats GaN autoportants 350 ±25 µm A partir de 1 x 10⁵ 3 x 10⁶cm^-2

5*10mm²Face SP (20-21)/(20-2-1) Substrat monocristallin de GaN autonome de type SI non dopé Résistivité > 10⁶Plaquette de dispositifs RF Ω·cm

Aperçu

Trois substrats principaux sont utilisés avec le GaN - le carbure de silicium (SiC), le silicium (Si) et le diamant.Le GaN sur SiC est le plus courant des trois et a été utilisé dans diverses applications militaires et pour les applications d'infrastructure sans fil haute puissance.Le GaN sur Si est un substrat plus récent dont les performances ne sont pas aussi bonnes que le SiC mais il est plus économique.Le GaN sur diamant est le plus performant, mais comme il est nouveau et relativement coûteux, les applications où il a été utilisé sont limitées.Nous avons comparé les trois substrats GaN dans le tableau ci-dessous.

Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect

Si δ₁= 0 ±0,5°, alors (20-21)/(20-2-1) l'angle du plan vers l'axe A est de 0 ±0,5°.

Si δ₂= - 1 ± 0,2°, alors (20-21)/(20-2- 1) l'angle du plan vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.

propos de nous

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