Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um

Number modèle:JDCD01-001-019
Point d'origine:Suzhou Chine
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:10000pcs/Month
Délai de livraison:3-4 jours de la semaine
Détails de empaquetage:Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
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Shanghai Shanghai China
Adresse: Bâtiment 11, voie 1333, avenue Jiangnan, ville de Changxing, district de Chongming, Shanghai
dernière connexion fois fournisseur: dans 2 heures
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2 pouces Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes

Face C 2 pouces Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n Résistivité < 0,1 Ω·cm Dispositif d'alimentation/plaquette laser



Aperçu
La norme dans l'industrie des matériaux semi-conducteurs spécifie la méthode de test de la rugosité de surface du substrat monocristallin de GaN avec un microscope force atomique, qui s'applique aux substrats monocristallins de GaN développés par dépôt chimique en phase vapeur et d'autres méthodes avec une rugosité de surface inférieure 10 nm.


Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes de 2 pouces

Excellent niveau (S)


Niveau de production(A)

Recherche

niveau (B)

Factice

niveau (C)


Note:

(1) Surface utile : exclusion des défauts de bord et de macro

(2) 3 points : les angles de coupe des positions (2, 4, 5) sont de 0,35 ± 0,15o

S-1S-2A-1A-2
Dimensions50,8 ± 1mm
Épaisseur350 ± 25 μm
Appartement d'orientation(1-100) ± 0,5o, 16 ± 1mm
Appartement d'orientation secondaire(11-20) ± 3o, 8 ± 1mm
Résistivité (300K)

< 0,5 Ω·cm pour le type N (non dopé ; GaN-FS-CU-C50)

ou > 1 x 106Ω·cm pour semi-isolant (dopé Fe ; GaN-FS-C-SI-C50)

TTV≤ 15 μm
ARC≤ 20 μm ≤ 40 μm
Ga rugosité de la surface de la face

< 0,2 nm (poli)

ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)

N rugosité de la surface de la face

0,5 ~ 1,5 μm

option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)

EmballerEmballé dans une salle blanche dans un seul conteneur de plaquettes
Surface utilisable> 90%>80 %>70 %
Densité de luxation<9.9x105cm-2<3x106cm-2<9.9x105cm-2<3x106cm-2<3x106cm-2
Orientation : plan C (0001) hors angle vers l'axe M

0,35 ± 0,15o

(3 points)

0,35 ± 0,15o

(3 points)

0,35 ± 0,15o

(3 points)

Densité de défauts macro (trou)0cm-2< 0,3 cm-2< 1cm-2
Taille max des macro défauts< 700 μm< 2000 μm< 4000 μm

propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grce notre bonne réputation.


FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T l'avance, solde avant expédition.

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Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um

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