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Efficacité de conversion de puissance de puce de diode laser du courant de seuil 0.5A 58%
Puce laser diode COS 915nm 10W sur la conception du sous-montage
L'intégration sur puce de diodes laser et de photodétecteurs avec des guides d'ondes nanofils de silicium est démontrée.Grce la liaison flip-chip des diodes laser GaInNAs/GaAs directement sur le substrat de silicium, une dissipation thermique efficace a été réalisée et des températures caractéristiques aussi élevées que 132K ont été atteintes.Des convertisseurs de taille de spot pour le couplage laser-guide d'onde ont été utilisés, avec des rendements supérieurs 60 %.
Les photodétecteurs ont été fabriqués en collant des plaquettes InGaAs/InP directement sur des guides d'ondes en silicium et en formant des structures métal-semi-conducteur-métal, donnant des sensibilités aussi élevées que 0,74 A/W.La diode laser et le photodétecteur ont été intégrés un seul guide d'ondes en silicium pour démontrer une liaison de transmission optique complète sur puce.
Optique | |
Longueur d'onde centrale | 915nm |
Puissance de sortie | 10W |
Largeur spectrale FWHM | ≤6nm |
Efficacité de la pente | 1.0W/A |
Divergence d'axe rapide | 60 degrés |
Divergence lente de l'axe | 11 degrés |
Mode de polarisation | ET |
Taille de l'émetteur | 94um |
Électrique | |
Courant de seuil | 0.5A |
Courant de fonctionnement | 12A |
Tension de fonctionnement | 1.65V |
Efficacité de conversion de puissance | 58% |
Thermique | |
Température de fonctionnement | 15-55℃ |
Température de stockage | -30-70℃ |
Temp.Coefficient | 0.3nm/℃ |
FAQ
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