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GaAs-Si Wafer 2 pouces GaAs (100) Substrats non dopés (100)15°±0.5° Off Vers<111>A
Aperçu
L'arséniure de gallium (formule chimique GaAs) est un composé semi-conducteur utilisé dans certaines diodes, transistors effet de champ (FET) et circuits intégrés (CI).Les porteurs de charge, qui sont pour la plupart des électrons, se déplacent grande vitesse parmi les atomes.Cela rend les composants GaAs utiles aux fréquences radio ultra-élevées et dans les applications de commutation électronique rapide.Les dispositifs GaAs génèrent moins de bruit que la plupart des autres types de composants semi-conducteurs.Ceci est important dans l'amplification des signaux faibles.
Plaquette GaAs-Si | |
Méthode de croissance | VGF |
Type de conduite | RCS |
Dopant | GaAs-Si |
Orientation | (100)15°±0.5° Off Vers<111>A |
Angle d'orientation | 0° |
DE Orientation | EJ[0-1-1]±0.5° |
DE Longueur (mm) | 17±1 |
SI Orientation | EJ[0-11]±0.5° |
SI Longueur(mm) | 7±1 |
Diamètre(mm) | 50,8±0,2 |
CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
Résistivité(ohm.cm) | N / A |
Mobilité(cm2/contre) | ≥1000 |
DEP(/cm2) | ≤5000 |
Épaisseur (um) | 350±20 |
TTV (euh) | <10 |
TTR(um) | <10 |
Arc (euh) | <15 |
Déformer (euh) | <15 |
Surface | Side1 :Poli Side2 :Gravé |
Emballage | Cassette ou simple |
propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grce notre bonne réputation.
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