Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
Conditions de paiement:T/T
Détails de empaquetage:Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Number modèle:JDCD08-001-002
Orientation extérieure:Un-avion (11-20)
Nom de produit:50mm Sapphire Substrate Wafer
Matériel:₃ du ₂ O d'Al de grande pureté (>99.995%)
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Bâtiment 11, voie 1333, avenue Jiangnan, ville de Changxing, district de Chongming, Shanghai
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Détails du produit
50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
JDCD08-001-001 gaufrette de substrat de saphir du diamètre 50mm, Thk 430μm, orientation en cristal C/M0.2, de la longueur (millimètre) puce de 16 LED, matériel de substrat
Le matériel est développé et orienté, et des substrats sont fabriqués et polis sur une surface Epi-prête sans dommage extrêmement douce un ou des deux côtés de la gaufrette. Un grand choix d'orientations et de tailles jusqu' 6" de gaufrette diamètre sont disponibles.
Des substrats de saphir d'Un-avion - sont habituellement employés pour des applications microélectroniques hybrides exigeant une constante diélectrique uniforme et isolant fortement des caractéristiques.
Des substrats de C-avion - tendez être employé pour des composés de lll-V et de ll-Vl, tels que GaN, pour la LED lumineuse et les diodes lasers bleues et vertes.
Substrats de R-avion - ceux-ci sont préférés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium utilisé dans des applications microélectroniques d'IC.
Paramètres | Spécifications | ||
| Unité | Cible | Tolérance | |
| Matériel | Grande pureté Al2O3 (>99.995%) | ||
| Diamètre | millimètre | 50,8 | ±0.10 |
| Épaisseur | μm | 430 | ±10 |
| Orientation extérieure | Un-avion (11-20) | ||
| - Outre de l'angle vers le M-axe | degré | 0,00 | ±0.10 |
| - Outre de l'angle vers l'Un-axe | degré | 0,00 | ±0.10 |
| Orientation plate | C-avion (0001) | ||
| - Angle excentré plat | degré | 0,0 | ±0.2 |
| Longueur plate | millimètre | 16,0 | ±1 |
| R-avion | R9 | ||
| Aspérité avant (Ra) | nanomètre | <0.3 | |
| Aspérité arrière | μm | 0.9~1.2μm | |
| Qualité extérieure avant | Le miroir a poli, EPI-prêt | ||
| Bord de gaufrette | de type r | ||
| Amplitude de chanfrein | μm | 80-160 | |
| Radian inclus d'angle entre le bord plat et le bord rond | millimètre | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV (5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| Arc | μm | 0~-5 | |
| Chaîne | μm | ≤10 | |
| Marque de laser | Comme client requis | ||
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Nous sommes usine.
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est selon la quantité.
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Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais
ne payons pas le coût de fret.
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Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
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