Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2

10x10mm²(-201) Substrat monocristallin Ga2O3 autonome dopé au Fe Polissage unique de qualité produit Épaisseur 0,6 ~ 0,8 mm FWHM < 350 arcsec, Ra ≤ 0,3 nm Dispositifs optoélectroniques, couches isolantes de matériaux semi-conducteurs et filtres UV

Géorgie₂O₃a une longue histoire et les équilibres de phase de l'Al₂O₃-Géorgie₂O₃Le système -H2O a été signalé pour la première fois en 1952 1 , dans lequel les polymorphes (c'est--dire différentes formes ou structures cristallines) de Ga₂O₃et leurs régions de stabilité ont également été identifiées.

Il existe cinq polymorphes communément identifiés de Ga₂O₃, étiquetés comme α, β, γ, δ et ε 2-10.Celles-ci sont appelées respectivement corindon (α), monoclinique (β), spinelle défectueuse (γ), orthorhombique (ε), la phase δ étant communément admise comme étant une forme de la phase orthorhombique.

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