Module de bureau 16GB 3200MHz CL16 1.35V de mémoire de DDR4 RAM Faspeed P4H

module de bureau faspeed de mémoire de P4H DDR4 RAM 16GB 3200MHz (PC4 25600) CL16 1.35V avec le radiateur

Description de module de bureau de mémoire

• module de bureau faspeed de mémoire de P4H DDR4 RAM 16GB 3200MHz (PC4 25600) CL16 1.35V avec le radiateur
• Soutient des processeurs de lac coffee d'Intel et des normes extrêmes de profil de mémoire d'Intel (Intel XMP).
• Le radiateur en aluminium et la basse tension de 1.35V permettent la dissipation thermique rapide et la puissance inférieure de matériel.
• Accélère 3200 MT/s/ synchronisation 16-18-18-38/tension 1.35V/non amorti/8GB basé
• Soutenu par une garantie vie pour promettre les services et le support technique complets.

Spécifications de module de mémorisation par ordinateur

Caractéristique de module de mémoire de simm

Lecture rapide et écrire la vitesse : De la mémoire instantanée est employée comme support de stockage, et la vitesse relevée est plus rapide que celle des disques durs mécaniques. Les commandes semi-conducteur n'utilisent pas les têtes magnétiques, et le temps de positionnement du bras est presque 0. Soutenu écrivez les vitesses sont étonnants

La résistance aux chocs et la résistance de baisse : Les disques durs traditionnels sont de type disque, et des données sont stockées dans des secteurs de disque. La commande semi-conducteur est faite de particules de mémoire instantanée (IE MP3, disque d'U et d'autres supports de stockage), tellement l ne sont aucune partie mécanique l'intérieur de la commande semi-conducteur de disque transistorisé, tellement même dans le cas du mouvement ultra-rapide ou même avec le basculement et l'inclinaison, elle n'affectera pas le fonctionnement normal. employez, et pouvez réduire au minimum la possibilité de perte de données en cas des collisions et des chocs. Comparé aux unités de disque dur traditionnelles, les commandes semi-conducteur ont un avantage absolu.