Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal
Number modèle:LXD8516
Point d'origine:Dongguan, Guangdong, Chine
Quantité d'ordre minimum:100 morceaux
Conditions de paiement:T/T, PAYPAL
Capacité d'approvisionnement:10,000,000 pièces par mois
Délai de livraison:7-10 jours ouvrables
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Dongguan Guangdong China
Adresse:
No.1, Yixiang, Liwu Industrial Park, village de Liwuyuan, secteur de Xihu, ville de Shilong, Dongguan 523325, Guangdong, Chine
dernière connexion fois fournisseur:
dans 29 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices de photorésistance de caisse en métal 8mm
DEMANDES TYPIQUES Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
* éclair automatique pour des caméras
* contrôle photoélectrique
* contrôle de lumière de pièce
* contrôle de lumière de pièce
* Photomusical I.C.
* contrôle industriel
* Photoswitch
* jouets électroniques
Description Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
Les cellules photoconductrices de Cd est une résistance qui a fait du matériel de semi-conducteur, et le changement de conductibilité avec le variationg de luminance. Le canbe de cellules photoconductrices de Cd construit avec différentes figures et secteur lumineux basés sur les cellules photoconductrices de ce characteristic.CdS est très utilisé dans beaucoup d'industries, telles que des jouets, des lampes, la caméra, etc.
Caractéristiques Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
* époxyde encapsulé
* réponse rapide
* petite taille
* sensibilité élevée
* représentation de Rebliable
* bonne caractéristique de spectre
CHARACTERICTICS ÉLECTRO-OPTIQUE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
| Paramètres | Characterictics | Unités |
| Résistance légère ( 10lux) | 4-10 | KΩ |
| Résistance foncée ( 0 lux/minute) | 0,5 | MΩ |
| Valeur gamma ( 100-10lux) | 0,6 | r |
| Dissipation de puissance ( 25℃) | 100 | MW |
| Max Voltage ( 25℃) | 150 | Volts continu |
| Crête de réponse spectrale ( 25℃) | 560 | nanomètre |
| Température ambiante de température ambiante | -30~+70 | ℃ |
| Temps de réponse | Augmentation | Mme 20 |
| Temps de réponse | Diminution | Mme 30 |
L'information composante Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
| Nom composant | ROSH | Avis |
| Revêtement de résine | OUI | -- |
| Cd | NON | Composition que 100 pages par minute |
| Électrode | OUI | -- |
| Substrat en céramique | OUI | -- |
| Terminal d'avance | OUI | -- |
DESSIN SCHÉMATIQUE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
CONTOUR Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm (unité : millimètre)
Les spécifications de série du métal ont enfermé le CDS
| Modèle | P/N | Tension maximale | Temp d'environnement | Spectral maximal | Lumière Résistance | Résistance foncée | 100/10 | Réponse temps | |
| (nanomètre) | Ev=10Lux @2856°K | Ev=0Lux | Mme | ||||||
| (Volts continu) | (KΩ) | (MΩ) | Temps de montée | Temps de chute | |||||
| TO-18 | LXD4526 | 150 | -30~+70 | 550 | 8-20 | 0,5 | 0,6 | 30 | 30 |
| LXD4537 | 150 | -30~+70 | 550 | 18-50 | 2 | 0,7 | 30 | 30 | |
| LXD4548 | 150 | -30~+70 | 550 | 45-140 | 5 | 0,8 | 30 | 30 | |
| 6 M | LXD6516 | 150 | -30~+70 | 550 | 5-10 | 0,5 | 0,6 | 30 | 30 |
| LXD6528 | 150 | -30~+70 | 550 | 8-20 | 4 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD6537 | 150 | -30~+70 | 550 | 18-50 | 10 | 0,75 | 20 | 30 | |
| LXD6548 | 150 | -30~+70 | 550 | 45-140 | 20 | 0,85 | 20 | 30 | |
| TO-5 | LXD8516 | 150 | -30~+70 | 560 | 5-10 | 0,5 | 0,5 | 20 | 30 |
| LXD8528 | 150 | -30~+70 | 560 | 8-20 | 2 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD8638 | 150 | -30~+70 | 560 | 30-50 | 5 | 0,8 | 20 | 30 | |
| LXD8649 | 150 | -30~+70 | 560 | 45-140 | 10 | 0,8 | 20 | 30 | |
| TO-8 | LXD12528 | 250 | -30~+70 | 560 | 8-20 | 2 | 0,6 | 20 | 30 |
| LXD12537 | 250 | -30~+70 | 560 | 18-50 | 5 | 0,7 | 20 | 30 | |
| LXD12549 | 250 | -30~+70 | 560 | 45-140 | 10 | 0,8 | 30 | 30 | |
RÉPONSE SPECTRALE Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
ILLUNINANCE contre la RÉSISTANCE de PHOTO Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
CONDITIONS D'ESSAI Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
| Résistance légère Résistance foncée | Résistance légère : Une source lumineuse (2856k) 10Lux Résistance foncée : data@10sec, après avoir découpé le r=Lg de la lumière 10Lux (R10/R100) | Réalisable |
| Changement de Tempture Essai | Tempture de taille : : 70℃±5℃ Temps : 30M Lumière d'Incideng : placement foncé Temps de essai : 24hr Bas tempture : : - 30℃±5℃ Temps : 30min Lumière d'incident : au-dessus de l'obscurité plaçant comme a réutilisez, en examinant le temps : 24hr | Réalisable |
| Constant Tempture Essai | Tempture : 40±5℃ Humidité : 90-95% Lumière d'incident : placement foncé Temps de essai : 48hr | Réalisable |
| Avance haut Tempture Essai | la racine de l'avance 90 degrés courbant, 5mm au-dessus de la
racine, chargeant charge 100g Tempture de soudure : : 260℃ Temps de chauffage : Max.35, distance entre la soudure et base : 5mm | Réalisable |
Paquet Du LDR dépendant de la lumière de résistance de cellules photoconductrices 8mm
En vrac, _> 40Pcs /bag- > 5Bag/Box = 200Pcs 2000PCS = boîte 10 = sac 20 = 1 carton
Caisse dépendant de la lumière en métal de résistance de PIR Sensor Module 8mm d'OHM de la caisse 10K en métal
Inquiry Cart
0