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Nitrure en aluminium (AlN)
Matériel en céramique avec la conduction thermique très élevée
La nitrure en aluminium (AlN), un en céramique covalent-collé, est
synthétisée des éléments abondants aluminium et azote. Elle ne se
produit pas naturellement.
AlN est stable en atmosphères inertes aux températures au-dessus de
2000°C. Il montre la conduction thermique élevée mais est,
uniquement, un diélectrique fort. Cette combinaison peu commune des
propriétés fait AlN un matériel avancé critique pour beaucoup de
futures applications dans les optique, l'éclairage, l'électronique
et l'énergie renouvelable.
En plus de la production de poudre, nous sommes également capables
de fabriquer et de fournir les produits agglomérés d'AlN. Pour
satisfaire la demande croissante en gestion thermique, nous
développons les bandes métallisées de cuivre de nitrure en
aluminium, les structures 3D complexes en forme de filet et les
composés. Les produits avancés tels que des réacteurs de microcanal
d'AlN et des substrats d'AlN avec les structures métalliques
incluses par roman sont en cours de développement.
Spécifications :
Propriétés | Catégorie matérielle |
AlN | |
Densité, g/sm3 | 3,3 |
Dureté de Vickers, GPa | 11 |
Résistance la flexion, MPA | 320 |
Jeune module, GPa | 320 |
Conduction thermique, avec (m·K) | 180 |
Coefficient d'expantion thermique de revêtement, 10-6/ºК | 4,7-5,6 |
Force électrique, kV/mm | 16 |
Résistivité volumique, ohm·m | >1012 |
Capacitivity diélectrique | 8,9 |
Propriétés principales :
conduction thermique élevée ;
excellentes propriétés électriques d'isolation ;
force ;
bas coefficient de dilatation thermique ;
bonne capacité de métallisation.
Applications principales :
blancs pour les cartes électronique en céramique ;
substrats pour la métallisation sur l'épais-film et les technologies en couche mince ;
substrats polis pour la métallisation sur la technologie en couche mince ;
substrats pour la LED ;
substrats pour des diodes lasers ;
substrats de précision pour des GIS et des microassemblages de micro-onde avec trous et renfoncements haute densité pour des cristaux ;
cartes multiples pour des ensembles de résistances, de rhéostats, de capteurs de niveau de carburant, de pression, etc. ;
transporteurs des plans des substances toxiques, des rayonnements ionisants, des capteurs etc. de champ magnétique ;
plats pour des ionizers et ozoniseurs d'air ;
protections isolantes pour enlever la chaleur des composants électroniques sur le radiateur de refroidissement ;
protecteurs pour des éléments des transducteurs piézoélectriques ;
bases et supports des éléments de chauffe plats, cristaux des dispositifs de semi-conducteur de haute puissance ;
plats pour les modules thermoélectriques (éléments de Peltier) ;
écrans pour des générateurs de plasma de radiofréquence ;
creusets.