L'ICP (plasma inductivement couplé) gravant à l'eau-forte le processus à la fabrication de puce de LED s'appelle gravure à l'eau forte inductivement couplée de plasma
Number modèle:Milliseconde
Point d'origine:LA CHINE
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Sic plateau d'ICP
Le plateau du carbure de silicium ICP est constitué par le processus pressant isostatique et l'agglomération température élevée. Le diamètre, l'épaisseur, le nombre et la taille externes des acupoints, de la position et de la forme de la cannelure de comprimé peuvent également être de finition selon les conditions des dessins d'étude de l'utilisateur de répondre aux exigences spécifiques de l'utilisateur.
Applications typiques
- L'ICP (plasma inductivement couplé) gravant l'eau-forte le processus la fabrication de puce de LED s'appelle gravure l'eau-forte inductivement couplée de plasma.
Caractéristiques et avantages
- Bonne conduction thermique, bas coefficient d'expansion et uniformité de la température
- Résistance l'impact de plasma
- Peut être fait selon les conditions spécifiques de taille des clients, le diamètre maximum peut atteindre 495MM
- Résistant toutes sortes de corrosion chimique forte de réactif d'acide et d'alcali
Caractéristiques : Diamètre 330/380mm
L'ICP (plasma inductivement couplé) gravant à l'eau-forte le processus à la fabrication de puce de LED s'appelle gravure à l'eau forte inductivement couplée de plasma
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