PLATEAU DU CARBURE DE SILICIUM DE SIC RTA, PROCÉDÉ À HAUTES TEMPÉRATURES RAPIDE DE TRAITEMENT THERMIQUE DE RTA À LA FABRICATION DE PUCE DE LED
Number modèle:Milliseconde
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
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Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par mois
Délai de livraison:3 jours ouvrables
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Zhengzhou Henan China
Adresse:
No. 26, rue de Dongqing, zone de pointe, Zhengzhou, Henan, Chine
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Sic plateau de RTA
Le plateau du carbure de silicium RTA est constitué par le processus pressant isostatique et l'agglomération température élevée. Le diamètre, l'épaisseur, le nombre et la taille externes des acupoints, de la position et de la forme de la cannelure de comprimé peuvent également être de finition selon les conditions des dessins d'étude de l'utilisateur de répondre aux exigences spécifiques de l'utilisateur.
Applications typiques
Procédé hautes températures rapide de traitement thermique de RTA la fabrication de puce de LED.
Caractéristiques et avantages
Excellente conduction thermique, bas coefficient d'expansion et résistance de choc thermique.
Résistance l'impact de plasma
Résistant toutes sortes de corrosion chimique forte de réactif d'acide et d'alcali
Caractéristiques
Peut être traité selon des dessins de client, la taille maximum : 500mm*500mm
Plateau du carbure de silicium RTA
PLATEAU DU CARBURE DE SILICIUM DE SIC RTA, PROCÉDÉ À HAUTES TEMPÉRATURES RAPIDE DE TRAITEMENT THERMIQUE DE RTA À LA FABRICATION DE PUCE DE LED
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