2 pouces InAs Wafer Indium Arsenide une/deux côtés polis

Number modèle:Milliseconde
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par mois
Délai de livraison:3 jours ouvrables
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Zhengzhou Henan China
Adresse: No. 26, rue de Dongqing, zone de pointe, Zhengzhou, Henan, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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Gaufrette d'InAs (arséniure d'indium)

 

Nous fournit la gaufrette d'InAs (arséniure d'indium) l'industrie d'optoélectronique de diamètre jusqu' 2 pouces. Le cristal d'InAs est un composé constitué par 6N pur dans et comme l'élément et est développé par la méthode encapsulée liquide de Czochralski (LEC) avec EPD < 15000 cm -3. Le cristal d'InAs a l'uniformité élevée des paramètres électriques et de la basse densité de défaut, appropriée la croissance épitaxiale de MBE ou de MOCVD. Nous avons les produits prêts d'InAs de « epi » avec le choix large dans précis ou outre de l'orientation, la basse ou élevée concentration enduite et la finition extérieure. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 

Gaufrette composée d'III-V

Nous fournit un large éventail de gaufrette composée comprenant la gaufrette de GaAs, la gaufrette de Gap, la gaufrette de GaSb, la gaufrette d'InAs, et la gaufrette d'INP.

 

Élém. élect. et enduisant des spécifications

Spécifications produit

 

CroissanceLEC
DiamètreØ 2"/Ø 3"
Épaisseur500 um | 625 um
Orientation<100>/<111>/<110> ou d'autres
Outre de l'orientationOutre de 2° 10°
SurfaceUn côté a poli ou deux côtés polis
Options platesEJ ou SEMI. Norme.
TTV<= 10 um
EPD<= 15000 cm2
CatégorieEpi a poli la catégorie/catégorie mécanique
PaquetConteneur simple de gaufrette
 

China 2 pouces InAs Wafer Indium Arsenide une/deux côtés polis supplier

2 pouces InAs Wafer Indium Arsenide une/deux côtés polis

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