gaufrette de CdSe CdTe ZnS ZnSe de Cd de gaufrette de 350um ZnO et gaufrette de ZnTe

Number modèle:Milliseconde
Point d'origine:La Chine
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Capacité d'approvisionnement:10000 morceaux par mois
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Zhengzhou Henan China
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Gaufrette de gaufrette, de Cd de ZnO, gaufrette de CdSe, gaufrette de CdTe, gaufrette de ZnS, gaufrette de ZnSe et gaufrette de ZnTe

 

Nous fournit la gaufrette de monocristal ZnO de grande pureté et le volume de ZnO pour le dispositif de puissance, les applications de LED, de capteur et de détecteur. Avec une structure cristalline idéale, la gaufrette de ZnO (oxyde de zinc) a une disparité de trellis de 2% GaN, celui est beaucoup moins que la disparité de trellis de la gaufrette de saphir et sic de la gaufrette. La gaufrette de ZnO est une du substrat le plus approprié pour l'usage comme croissance épitaxiale de GaN et application large de semi-conducteur d'espace de bande. La gaufrette de ZnO sont fournies dans la forme carrée, non dopée, taille 10 x 10 x 0,5 millimètres, les doubles côtés ont poli la finition extérieure et orienté, notre gaufrette de haute qualité de ZnO ont été très utilisée pour la croissance de

dispositifs de base de nitrure. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 

Application de gaufrette de ZnO

 

La croissance épitaxiale de GaNDétecteurs UV
Dispositifs de puissanceDispositifs luminescents
PhotovoltaïqueCapteurs

 

Propriétés de gaufrette de ZnO

 
Formule chimiqueZnO
Structure cristallineHexagonal
Treillagez constant3,3 A
Disparité de trellis avec GaN dans l'avion de <0001>9
Conduction thermique0,006 calories/cm /K
Indice de réfraction2.0681 / 2,0510
Visage poli identifiéZn - visage/O - visage

Spécifications produit

 
CroissanceHydrothermique
Le volume de ZnO/bloc26,5 x 26,5 x 10 millimètres
Gaufrette de ZnO10 x 10 x 0,5 millimètres
OrientationVisage <0001> de Zn/visage <000-1> d'O
Résistivité500 - 1000 ohm-cm
Surfacedeux côtés polis
Rugosité<= 10 A de Ra
PaquetBoîte de Membrance

 

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