Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED
Numéro de modèle:Milliseconde
Lieu d'origine:Chine
Quantité minimale de commande:1 pièces
Conditions de paiement:L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union, Moneygram
Capacité à fournir:1000 pièces
Délai de livraison:7 jours ouvrables
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Zhengzhou Henan China
Adresse:
No. 26, rue de Dongqing, zone de pointe, Zhengzhou, Henan, Chine
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Les plateaux en carbure de silicium, comme support de gaufre pour le processus d'incision ICP dans l'industrie LED
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau qui a une excellente conductivité thermique, une résistance la corrosion et une faible expansion thermique.Les plateaux en carbure de silicium présentent une excellente résistance la corrosionNous fournissons de nombreuses tailles de plateaux de carbure de silicium ainsi que d'autres produits SiC.
Propriétés des matériaux:
Processus de fabrication:
Propriétés des plateaux de carbure de silicium
| Formule composée | SiC |
| Poids moléculaire | 40.1 |
| Apparence | Noir |
| Point de fusion | 2,730° C (4,946° F) (décompose) |
| Densité | 30,0 3,2 g/cm3 |
| Résistance électrique | 1 4 10x Ω-m |
| Ratio de Poisson | 0.15 contre 0.21 |
| Température spécifique | 670 1180 J/kg-K |
Spécifications du plateau de carbure de silicium
| Le type | SiC recristallisé | SiC sintré | SiC lié par réaction |
| Pureté du carbure de silicium | 990,5% | 98% | > 88% |
| Max. Temps de travail. | 1650 | 1550 | 1300 |
| Densité en vrac (g/cm3) | 2.7 | 3.1 | > 3 |
| Apparence Porosité | < 15% | 2.5 | 0.1 |
| Résistance la flexion (MPa) | 110 | 400 | 380 |
| Résistance la compression (MPa) | > 300 | 2200 | 2100 |
| Expansion thermique (10^-6/`C) | 4.6 (1200 ̊C) | 4.0 (< 500 ̊C) | 4.4 (< 500 ̊C) |
| Conductivité thermique (W/m.K) | 35 36 | 110 | 65 |
| Principales caractéristiques | Haute température, haute résistance. Haute pureté | Dureté de la fracture | Résistance chimique |
Exigence de caractéristique:
- Excellente conductivité thermique
- Résistant au choc plasma
- Bonne homogénéité de température
Applications des plateaux de carbure de silicium
- Le carbure de silicium peut être appliqué dans des domaines tels
que les semiconducteurs et les revêtements.
- Nos plateaux en carbure de silicium sont largement utilisés dans
l'industrie des LED.
Emballage du carbure de silicium
Nos plateaux en carbure de silicium sont soigneusement manipulés
pour minimiser les dommages pendant le stockage et le transport et
pour préserver la qualité de nos produits dans leur état d'origine.
Contrôle de la qualité:
Les plateaux Sic en carbure de silicium comme support de gaufre pour le processus de gravure ICP dans l'industrie LED
Inquiry Cart
0