Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD
Number modèle:S1J
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:5K PCS
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:800KK PCS par mois
Délai de livraison:10 produits frais de jours de travail
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Changzhou Jiangsu China
Adresse:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Détails du produit
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Détails du produit
Diode en plastique d'usage universel de bti de surface de silicium
de la diode de redresseur de S1J SMD 1A 600V
S1A PAR S1M
REDRESSEURS D'USAGE UNIVERSEL DE BTI EXTÉRIEUR
Tension inverse - 50 1000 volts en avant d'actuel - 1,0 ampères
Caractéristiques du produit
Le paquet en plastique porte la classification 94V-0
d'inflammabilité d'UL
Pour les applications montées extérieures
Basse fuite inverse
Passe-fils intégré, idéal pour le placement automatisé
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure hautes températures a garanti : secondes 260℃/10 sur des terminaux
Jonction passivée en verre
Basse chute de tension en avant
RoHS conforme
Caractéristiques mécaniques
Cas : Corps en plastique moulé par paquet de SMA (DO-214AC) au-dessus de puce passivée
Terminaux : La soudure a plaqué, solderable par MIL-STD-750, la méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,0021 onces, 0,059 grammes
Capacités absolues et paramètres électriques
| Type | E/S | VRRM | IFSM | VF | IR | Paquet | ||
| (a) | (v) | (a) | (v) | SI (A) | (uA) | VR (V) | Contour | |
| M1F | 1 | 50 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 50 | SMAF |
| M2F | 1 | 100 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 100 | SMAF |
| M3F | 1 | 200 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 200 | SMAF |
| M4F | 1 | 400 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 400 | SMAF |
| M5F | 1 | 600 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 600 | SMAF |
| M6F | 1 | 800 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 800 | SMAF |
| M7F | 1 | 1000 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 1000 | SMAF |
| M1E | 1 | 50 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 50 | MÊMES |
| M2E | 1 | 100 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 100 | MÊMES |
| M3E | 1 | 200 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 200 | MÊMES |
| M4E | 1 | 400 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 400 | MÊMES |
| M5E | 1 | 600 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 600 | MÊMES |
| M6E | 1 | 800 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 800 | MÊMES |
| M7E | 1 | 1000 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 1000 | MÊMES |
| M1 | 1 | 50 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 50 | SMA |
| M2 | 1 | 100 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 100 | SMA |
| M3 | 1 | 200 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 200 | SMA |
| M4 | 1 | 400 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 400 | SMA |
| M5 | 1 | 600 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 600 | SMA |
| M6 | 1 | 800 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 800 | SMA |
| M7 | 1 | 1000 | 30 | 1,1 | 1 | 5 | 1000 | SMA |
Évaluation et courbes caractéristiques
Bâti de surface de silicium de la diode 600V 1A de S1J SMD
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