diode de redresseur standard de 1N5405 1N5407 1N5406 1n5408 3A 600V 800V 1000V
Number modèle:1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:PCs 1K
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:800KK PCS par mois
Délai de livraison:10 produits frais de jours de travail
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Changzhou Jiangsu China
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Diode de redresseur standard de silicium 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Dessin de produit
CARACTÉRISTIQUES
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
La construction utilise sans nulle
technique en plastique moulée
Basse fuite inverse
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure hautes températures a garanti :
260 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : JEDEC DO-201AD a moulé le corps en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,04 onces, 1,10 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication
contraire.
La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le
courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
SYMBOLES | 1N 5400 | 1N 5401 | 1N 5402 | 1N 5403 | 1N 5404 | 1N 5405 | 1N 5406 | 1N 5407 | 1N 5408 | UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 | VOLTS |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 | VOLTS |
La moyenne maximum a en avant rectifié actuel
0,375" longueur d'avance (de 9.5mm) TA=75℃ | JE (POIDS DU COMMERCE) | 3,0 | Ampères | ||||||||
Moitié simple avant maximale du courant de montée subite
8.3ms sinus-vague superposée la charge évaluée
(Méthode de JEDEC) | IFSM | 150 | Ampères | ||||||||
Tension en avant instantanée maximum 3.0A | VF | 1,0 | VOLTS | ||||||||
Inverse maximum de C.C TA=25 actuel évalué
Tension de blocage de C.C TA=100℃ | IR | 5,0 100 | µA | ||||||||
Capacité de jonction typique (NOTE 1) | CJ | 30,0 | PF | ||||||||
Résistance thermique typique (NOTE 2) | RθJA | 20,0 | ℃/W | ||||||||
Jonction et température de stockage fonctionnantes
gamme | TJ, TSTG | -65 +175 | ℃ | ||||||||
Note :
1.Measured 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
la résistance 2.Thermal de la jonction ambiant 0,375" la longueur
d'avance (de 9.5mm), carte PCB a monté
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES
diode de redresseur standard de 1N5405 1N5407 1N5406 1n5408 3A 600V 800V 1000V
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