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emballage standard de munitions de bande de la diode de redresseur du silicium 1000V en plastique 1N4007 IN4007 5K PCS
Dessin de produit
| SYMBOLES | 1N 4001 | 1N 4002 | 1N 4003 | 1N 4004 | 1N 4005 | 1N 4006 | 1N 4007 | UNITÉS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | VOLTS |
Tension maximum de RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | VOLTS |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | VOLTS |
La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur
d'avance (de 9.5mm) TA=75℃ | JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampères | ||||||
Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite
8.3ms demi superposée la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 30 | Ampères | ||||||
Tension en avant instantanée maximum 3.0A | VF | 1,0 | VOLTS | ||||||
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃ | IR | 5,0 100 | µA | ||||||
Capacité de jonction typique (NOTE 1) | CJ | 15,0 | PF | ||||||
Résistance thermique typique (NOTE 2) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de
stockage | TJ, TSTG | -65 +175 | ℃ | ||||||
Courbes caractéristiques