Détails du produit
boîtier en plastique de la diode IN5817 IN5818 IN5819 de 1N5817
1N5818 1N5819 Schottky
1N5817 PAR 1N5819
REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY
Tension inverse - 20 40 volts en avant d'actuel - 1,0 ampères
Dimension
Caractéristiques du produit
Le paquet en plastique a la classification 94V-0 d'inflammabilité
de laboratoire de garants
Jonction de silicium en métal, conduction de transporteur de
majorité
Guardring pour la protection de surtension
Perte de puissance faible, rendement élevé
Capacité forte intensité, basse chute de tension en avant
Capacité de crête élevée
Pour l'usage dans la basse tension, les inverseurs haute fréquence,
libèrent le roulement, et les applications de protection de
polarité
La soudure hautes températures a garanti : 260 C/10 secondes,
0,375" longueur d'avance (de 9.5mm), 5 livres. tension (2.3kg)
Données mécaniques
Cas : JEDEC DO-41 a moulé le corps en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750,
méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,012 onces, 0,33 grammes
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication
contraire.
La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour la
charge capacitive actuelle sous-sollicitent de 20%.
| SYMBOLES | 1N5817 | 1N5818 | 1N5819 | UNITÉS |
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Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 20 | 30 | 40 | VOLTS |
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Tension maximum de RMS | VRMS | 14 | 21 | 28 | VOLTS |
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Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 20 | 30 | 40 | VOLTS |
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La moyenne maximum a en avant rectifié 0,375" actuel longueur
d'avance (de 9.5mm) au ℃ TL=90 | JE (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | Ampère |
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Sinus-vague simple en avant maximale du courant de montée subite
8.3ms demi superposée la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 25,0 | Ampères |
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Tension en avant instantanée maximum 1.0A | VF | 0,450 | 0,550 | 0,600 | Volts |
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℃ TA=25 actuel d'inverse maximum de C.C au ℃ évalué de la tension de blocage de C.C TA=100 | IR | 0,5 10,0 | mA |
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Capacité de jonction typique (NOTE 1) | CJ | 110,0 | PF |
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Résistance thermique typique (NOTE 2) | RθJA | 50,0 | ℃/W |
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Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de
stockage | TJ, TSTG | -65 +125 | ℃ |
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Note :
1.Measured 1MHz et tension inverse appliquée de C.C 4.0V
la résistance 2.Thermal de la jonction ambiant 0,375" la longueur
d'avance (de 9.5mm), carte PCB a monté