GAZON rapide 123 de la puissance élevée 1N4148W de diode de commutation de petit signal de SMD
Number modèle:1N4148W
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:3K PCS
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:800KK PCS par mois
Délai de livraison:10 produits frais de jours de travail
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Changzhou Jiangsu China
Adresse:
No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
SOD-123 diode de commutation de signal de silicium en plastique de
paquet du cas SMD petite 1N4148W
CARACTÉRISTIQUES
Vitesse de changement rapide
Paquet extérieur de bti idéalement adapté l'insertion automatique
Pour l'application de changement d'usage universel
Conductibilité élevée
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : SOD-123 a moulé le corps en plastique
Terminaux : Solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
Position de montage : Quels
Poids : 0,01 grammes (d'approximatif)
Dessin de produit
Capacités absolues (merci = 25℃)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|
Tension inverse maximale non répétitive | VRM | 100 | V |
Tension inverse | VR | 75 | V |
Courant en avant rectifié par moyenne | SI (POIDS DU COMMERCE) | 150 | mA |
Courant continu en avant | IFM | 300 | mA |
Courant de montée subite en avant maximal non répétitif t = µs 1 t = Mme 100 | IFSM | 2 1 | |
Dissipation de puissance | Ptot | 400 | mW |
Jonction de résistance thermique l'air ambiant | RθJA | 450 | ℃/W |
Chaîne de température de fonctionnement | Tj | - 65 + 150 | ℃ |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | - 65 + 150 | ℃ |
Caractéristiques aux ventres =℃ 25
Paramètre | Symbole | Mn. | Maximum. | Unité |
|---|---|---|---|---|
Tension claque inverse IR = 1 µA | V (BR) R | 75 | - | V |
Tension en avant SI = 1 mA SI = 10 mA SI = 50 mA SI = 150 mA | VF | - | 0,715 0,855 1 1,25
| V |
Courant inverse maximal VR = 75 V VR = 20 V VR = 75 V, TJ =℃ 150 VR = 25 V, TJ =℃ 150 | IR | - | 1 25 50 30 | µA Na µA µA |
Capacité totale VR = 0 V, f = 1 mégahertz | CT | - | 2 | PF |
Temps de rétablissement inverse IRR = 0,1 X IR, SI = IR = 10 mA, RL = Ω 100 | trr | - | 4 | NS |
ESTIMATIONS ET COURBES CARACTÉRISTIQUES
GAZON rapide 123 de la puissance élevée 1N4148W de diode de commutation de petit signal de SMD
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