pont redresseur passivé en verre de la diode GBJ3510 de pont redresseur de silicium monophasé 35A

Number modèle:GBJ3510
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:PCs 1K
Conditions de paiement:T/T
Capacité d'approvisionnement:800KK PCS par mois
Délai de livraison:10 produits frais de jours de travail
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Changzhou Jiangsu China
Adresse: No. 38 Hongye Road, New Northern District, Changzhou City, 213033, Jiangsu Province, China
dernière connexion fois fournisseur: dans 2 heures
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Détails du produit
GBJ35005 PAR GBJ3510
PONTS REDRESSEURS PASSIVÉS EN VERRE
Tension inverse - 50 1000 volts en avant d'actuel - 35 ampères
 
CARACTÉRISTIQUES
 
Le paquet en plastique porte le laboratoire de garants
Classification 94V-0 d'inflammabilité
Idéal pour des cartes électronique
Basse fuite inverse
Capacité élevée de courant de montée subite en avant
La soudure hautes températures a garanti :
260 C/10 secondes, 0,375" longueur d'avance (de 9.5mm),
5 livres. tension (2.3kg)
Cette série est UL a identifié le composant
Jonction passivée en verre de puce
 
DONNÉES MÉCANIQUES
 
Cas : Corps en plastique moulé
Terminaux : Avances plaquées solderable par MIL-STD-750,
Méthode 2026
Polarité : Symboles de polarité marqués sur le cas
Position de montage : Quels
Poids : 0,15 onces, 4 grammes
 
DIMENSION
 

FICHE TECHNIQUE

 

TypeCourant en avantTension inverseTension en avantCourant inverseCourant de montée subite en avant
IAVVRRMVF@IFIRIFSM
VVuA
GBJ2005/GBJ2A2501,12560
GBJ201/GBJ2B21001,12560
GBJ202/GBJ2D22001,12560
GBJ204/GBJ2G24001,12560
GBJ206/GBJ2J26001,12560
GBJ208/GBJ2K28001,12560
GBJ210/GBJ2M210001,12560
GBJ4005/GBJ4A4501,145120
GBJ401/GBJ4B41001,145120
GBJ402/GBJ4D42001,145120
GBJ404/GBJ4G44001,145120
GBJ406/GBJ4J46001,145120
GBJ408/GBJ4K48001,145120
GBJ410/GBJ4M410001,145120
GBJ6005/GBJ6A6501,165150
GBJ601/GBJ6B61001,165150
GBJ602/GBJ6D62001,165150
GBJ604/GBJ6G64001,165150
GBJ606/GBJ6J66001,165150
GBJ608/GBJ6K68001,165150
GBJ610/GBJ6M610001,165150
GBJ8005/GBJ8A8501,185170
GBJ801/GBJ8B81001,185170
GBJ801/GBJ8D82001,185170
GBJ801/GBJ8G84001,185170
GBJ801/GBJ8J86001,185170
GBJ801/GBJ8K88001,185170
GBJ801/GBJ8M810001,185170
GBJ10005/GBJ10A10501,1510170
GBJ1001/GBJ10B101001,1510170
GBJ1002/GBJ10D102001,1510170
GBJ1004/GBJ10G104001,1510170
GBJ1006/GBJ10J106001,1510170
GBJ1008/GBJ10K108001,1510170
GBJ1010/GBJ10M1010001,1510170
GBJ15005/GBJ15A15501,17,510200
GBJ1501/GBJ15B151001,17,510200
GBJ1502/GBJ15D152001,17,510200
GBJ1504/GBJ15G154001,17,510200
GBJ1506/GBJ15J156001,17,510200
GBJ1508/GBJ15K158001,17,510200
GBJ1510/GBJ15M1510001,17,510200
GBJ25005/GBJ25A25501,112,510400
GBJ2501/GBJ25B251001,112,510400
GBJ2502/GBJ25D252001,112,510400
GBJ2504/GBJ25G254001,112,510400
GBJ2506/GBJ25J256001,112,510400
GBJ2508/GBJ25K258001,112,510400
GBJ2510/GBJ25M2510001,112,510400
GBJ35005/GBJ35A35501,117,510400
GBJ3501/GBJ35B351001,117,510400
GBJ3502/GBJ35D352001,117,510400
GBJ3504/GBJ35G354001,117,510400
GBJ3506/GBJ35J356001,117,510400
GBJ3508/GBJ35K358001,117,510400
GBJ3510/GBJ35M3510001,117,510400

 

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

Estimations 25 températures ambiantes de C sauf indication contraire.
La charge monophasé 60Hz demi onde, résistif ou inductif, pour le courant capacitif de charge sous-sollicitent de 20%.
 
 
SYMBOLES
GBJ35005GBJ3501GBJ3502GBJ3504GBJ3506GBJ3508GBJ3510
UNITÉS
GBJ35A
GBJ35B
 
GBJ35D
GBJ35G
GBJ35J
GBJ35K
GBJ35M
Tension inverse maximale répétitive maximum
VRRM
501002004006008001000
Volts
Tension maximum de RMS
VRMS
3570140280420560700
Volts
Tension de blocage maximum de C.C
Volts continu
501002004006008001000
Volts
La sortie en avant moyenne maximum a rectifié actuel TA=50 C (note 2)
JE (POIDS DU COMMERCE)
35
Ampères
Courant de montée subite en avant maximal, demi sinus-vague 8.3ms simple superposée la charge évaluée (méthode de JEDEC)
IFSM
400
Ampères
Estimation pour fondre (t<8>
² t d'I
660
Un ² s

Chute de tension en avant instantanée maximum par jambe 17.5A

VF
1,1
Volts
Inverse maximum TA=25℃ actuel de C.C
la tension de blocage évaluée de C.C TA=100℃
IR

5

500

uA
Capacité de jonction typique (note 1)CJ85
PF
Résistance thermique typique (note 2)
RθJA
1,0℃/W
Gamme de température de fonctionnement
TJ
-55 +150
Température ambiante de température de stockage
TSTG
-55 +150

 

NOTES :
1.Measured 1,0 mégahertz et tension inverse appliquée de 4,0 volts.
2.Unit a monté sur le radiateur de plat de Cu de 75mm x de 75mm x de 1.6mm
 
COURBES CARACTÉRISTIQUES.
 
China pont redresseur passivé en verre de la diode GBJ3510 de pont redresseur de silicium monophasé 35A supplier

pont redresseur passivé en verre de la diode GBJ3510 de pont redresseur de silicium monophasé 35A

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