MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

Numéro de modèle:JY11M
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:50pcs (échantillon disponible)
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:1000 pièces par jour
Délai de livraison:dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
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Fournisseur Vérifié
Changzhou Jiangsu China
Adresse: Il s'agit de la ville de Changzhou, dans la province de Jiangsu, en Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 3 heures
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Description générale:


Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance l'allumage avec un taux d'avalanche répétitif élevé.
Les caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


 Caractéristiques:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

 

Applications:

 

● Changement d'application
● Circuits haute fréquence et commutation dure
● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

 

Description du code PIN:

 

Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire):

 

Le symboleParamètreLimiteUnité
VRésultats de l'enquêteVoltage de la source de vidange100V
VGSVoltage de la porte de sortie± 20V
Je suis...DCourant de drainage continuTC = 25°C110Une
TC = 100°C82
Je suis...Le DMCourant de drainage pulsé395Une
PDDissipation de puissance maximale210W
TJeTGSTPlage de température de jonction de fonctionnement et de stockage-55 +175°C
RThJCRésistance thermique - jonction avec le boîtier0.65°C/W
RθJA
Résistance thermique - jonction avec l'environnement62

 

TO220-3 Conception de l'ensemble:


 

Le symbolemmpoucesLe symbolemmpouces
- Je vous en prie.NomJe suis désolé.- Je vous en prie.NomJe suis désolé.- Je vous en prie.NomJe suis désolé.- Je vous en prie.NomJe suis désolé.
Une4.404.574.700.1730.1800.185Øp11.401.501.600.0550.0590.063
A11.271.301.330.0500.0510.052e2.54BSC0.1BSC
A22.352.402.500.0930.0940.098e15.08BSC0.2BSC
b0.77-0.900.030-0.035H16.406.506.600.2520.2560.260
b21.23-1.360.048-0.054L12.75-13.170.502-0.519
C0.480.500.520.0190.0200.021L1--3.95--0.156
D15.4015.6015.800.6060.6140.622L22.50 REF. Je vous en prie.0.098 REF. Je vous en prie.
D19.009.109.200.3540.3580.362Øp3.573.603.630.1410.1420.143
DEP0.050.100.200.0020.0040.008Q. Je vous en prie.2.732.802.870.1070.1100.113
E9.709.9010.100.3820.3890.398Θ1
E1-8.7--0.343-Θ2
E29.8010.0010.200.3860.940.401       

 

 

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter directement par e-mail: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 
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MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

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