Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

Numéro de modèle:JY4P7M
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:50pcs (échantillon disponible)
Conditions de paiement:T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000pcs par mois
Délai de livraison:Habituellement 5-8 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
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Fournisseur Vérifié
Changzhou Jiangsu China
Adresse: Il s'agit de la ville de Changzhou, dans la province de Jiangsu, en Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 3 heures
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Description générale:
 
Le JY4P7M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les
les applications de charge.
 
Caractéristiques:
 
● −40V/−70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=−10V
● Conception de cellules haute densité pour un Rdson ultra bas
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur
 
Applications:
 
● Commutateur de charge dans les applications courant élevé
● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs
 
Description du code PIN:
 
 
Rating maximal absolu ((Tc=25oC, sauf indication contraire):
 
 
Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire):
 
Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire):
 
 
TO252 Conception du paquet
 

 

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Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

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