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Paquet de JY16M N Channel 600V TO220F-3
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration pour le
conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement de fossé
pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive
élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire cette conception un
dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une
grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●600V/4A, LE RDS (DESSUS) =2.6Ω@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Éclairage
●Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Estimation | Unité | |
VDS | Tension de Drain-source | 600 | V | |
VGS | Tension de Porte-source | ± 30 | V | |
Identification | Drain continu Actuel | Tc=25ºC | 4 | |
Tc=100ºC | 2,9 | |||
IDM | Courant pulsé de drain | 16 | ||
Palladium | Dissipation de puissance maximum | 33 | W | |
TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme | -55 +150 | ºC | |
RθJC | Résistance-jonction thermique enfermer | 1,5 | ºC/W | |
RθJA | Résistance-jonction thermique ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
Caractéristiques statiques | ||||||
BVDSS | Drain-source Tension claque | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 600 | V | ||
IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel | VDS =600V, VGS =0V | 1 | uA | ||
IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel | =± 30V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
VGS (Th) | Seuil de porte Tension | VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état | VGS =10V, IDENTIFICATION =4A | 2,6 | 2,8 | Ω |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
VSD | Diode en avant Tension | VGS =0V, ISD =2A | 1,5 | V | ||
Trr | Temps de rétablissement inverse | ISD =4A di/dt=100A/us | 260 | NS | ||
Qrr | Charge inverse de récupération | 1,5 | OR | |||
Caractéristiques dynamiques | ||||||
RG | Résistance de porte | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ | 5 | Ω | ||
Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =300V, RG =25Ω, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V, | 15 | NS | ||
TR | Temps de montée d'ouverture | 48 | ||||
Le TD () | Temps de retard d'arrêt | 28 | ||||
Tf | Temps d'arrêt d'automne | 35 | ||||
CISS | Capacité d'entrée | VGS =0V, VDS =25V, f=1.0MHz | 528 | PF | ||
COSS | Capacité de sortie | 72 | ||||
CRSS | Transfert inverse Capacité | 9 | ||||
Qg | Charge totale de porte | VDS =480V, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V | 16 | OR | ||
Qgs | Charge de Porte-source | 3,5 | ||||
Qgd | Charge de Porte-drain | 7,1 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY16M