3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H
Number modèle:JY12M
Quantité d'ordre minimum:1 ensemble
Détails de empaquetage:CARTON DU PE BAG+
Point d'origine:LA CHINE
Délai de livraison:5-10 jours
Conditions de paiement:T/T, L/C, Paypal
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Changzhou Jiangsu China
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Le numéro 8 de la route Tianshan, district de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, Chine.
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JY12M N et transistor MOSFET de la Manche 30V de P pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY12M est les transistors de champ de puissance de mode
d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
sont produits utilisant la technologie élevée de fossé de la
densité DMOS de cellules. Ceci haute densité
le processus est particulièrement travaillé pour réduire au minimum
la résistance de sur-état. Ces dispositifs sont
en particulier adapté l'application de basse tension telle que le
téléphone mobile et le carnet
gestion de puissance d'ordinateur et d'autres circuits piles l où
du côté haut
la commutation, et la basse perte de puissance intégrée sont
nécessaires dans une surface très petite d'ensemble
paquet de bti.
CARACTÉRISTIQUES
| Dispositif | LE RDS (DESSUS) MAX | IDMAX (25ºC) |
| N-canal | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-canal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide
APPLICATIONS
●Gestion de puissance
●Convertisseur de DC/DC
●Contrôle de moteur de C.C
●Affichage cristaux liquides TV et inverseur d'affichage de
moniteur
●Inverseur de CCFL
Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | La Manche de N | La Manche de P | Unité | |||
| sec 10 | Régulier | sec 10 | Régulier | ||||
| Vidangez la tension de source | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| Tension de source de porte | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| Continu Vidangez actuel | ºC Ta=25 | Identification | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
| ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
| Courant pulsé de drain | IDM | 30 | -30 | ||||
| Puissance maximum Dissipation | ºC Ta=25 | Palladium | 1,5 | W | |||
| ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
| Jonction fonctionnante La température | TJ | -55 150 | ºC | ||||
| Résistance thermique Jonction ambiant | RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| Résistance thermique Jonction enfermer | RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité | |
| Charge statique | |||||||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | N-ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA | P-ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
| IGSS | Fuite de porte Actuel | VDS =0V, VGS =±20V | N-ch | ±100 | Na | ||
| P-ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel | VDS =30V, VGS =0V | N-ch | 1 | uA | ||
| VDS =-30V, VGS =0V | P-ch | -1 | |||||
| IDENTIFICATION (DESSUS) | Drain de Sur-état Actuel | VDS ≥5V, VGS =10V | N-ch | 20 | |||
| VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-ch | -20 | |||||
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source Sur-état Résistance | VGS =10V, IDENTIFICATION =7.4A | N-ch | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICATION =-5.2A | P-ch | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =6.0A | N-ch | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-4.0A | P-ch | 65 | 85 | ||||
| VSD | Diode en avant Tension | EST =1.7A, VGS =0V | N-ch | 0,8 | 1,2 | V | |
| EST =-1.7A, VGS =0V | P-ch | -0,8 | -1,2 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY12M
3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H
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