conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut

Number modèle:JY21L
Quantité d'ordre minimum:1 ensemble
Détails de empaquetage:CARTON DU PE BAG+
Point d'origine:LA CHINE
Délai de livraison:5-10 jours
Conditions de paiement:T/T, L/C, Paypal
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Fournisseur Vérifié
Changzhou Jiangsu China
Adresse: Le numéro 8 de la route Tianshan, district de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, Chine.
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Détails du produit

Conducteur de côté de ciel et terre de JY21L, haute tension, conducteur grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés sur le processus de P-SUB P-EPI.

 

Description générale
Le produit est un conducteur haute tension et grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basé dessus
Processus de P-SUB P-EPI. Le conducteur de canal de flottement peut être employé pour conduire le N-canal deux
transistor MOSFET ou IGBT de puissance indépendamment qui fonctionnent jusqu' 150V. Les entrées de logique sont
compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas la logique 3.3V. La sortie
les conducteurs comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix minimum de conducteur
conduction. Des retards de propagation sont assortis pour simplifier l'utilisation dans la haute fréquence
applications.


Caractéristiques
logique 3.3V compatible
●Complètement opérationnel +150V
●Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
●Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 5.5V 20V
●Capacité actuelle 450mA/850mA de source/évier de sortie
●Entrée indépendante de logique pour adapter toutes les topologies
●-5V négatif contre la capacité
●Retard de propagation assorti pour les deux canaux


Applications
Conducteur de transistor MOSFET ou d'IGBT de puissance
●Petit et de capacité moyenne conducteur de moteur
 

 

Pin Description

Pin NumberPin NamePin Function
1VCCApprovisionnement de bas côté et d'alimentation secteur
2HINEntrée de logique pour la sortie latérale élevée de conducteur de porte (HO)
3LINEntrée de logique pour la basse sortie latérale de conducteur de porte (LO)
4COMLa terre
5LOBasse sortie latérale d'entraînement de porte, dans la phase avec LIN
6CONTRERetour de flottement d'approvisionnement de côté élevé ou retour d'amorce
7HOSortie latérale élevée d'entraînement de porte, dans la phase avec HIN
8VBApprovisionnement de flottement de côté élevé


Capacités absolues

SymboleDéfinitionMn.MAXIMUM.Unités
VBApprovisionnement de flottement de côté élevé-0,3150V
CONTRERetour de flottement d'approvisionnement de côté élevéVB-20VB +0,3
VHOSortie latérale élevée d'entraînement de porteVS-0.3VB +0,3
VCCApprovisionnement de bas côté et d'alimentation secteur-0,325
VLOBasse sortie latérale d'entraînement de porte-0,3VCC +0,3
VINEntrée de logique de HIN&LIN-0,3VCC +0,3
ESDModèle de HBM2500V
Modèle de machine200V
PalladiumDissipation de puissance de paquet @TA≤25ºC0,63W
RthJAJonction de résistance thermique ambiant200ºC/W
TJLa température de jonction150ºC
SOLIDES TOTAUXTempérature de stockage-55150
TLLa température d'avance300


Note : Le dépassement de ces estimations peut endommager le dispositif

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY21L

JY21L.pdf

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