Transistor MOSFET de puissance de JY8N5M N Channel Enhancement Mode pour l'alimentation d'énergie de mode de commutateur

Number modèle:JY8N5M
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement:100000 PCS par mois
Délai de livraison:5-10days
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Fournisseur Vérifié
Changzhou Jiangsu China
Adresse: Le numéro 8 de la route Tianshan, district de Xinbei, Changzhou, Jiangsu, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 31 heures
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Transistor MOSFET de puissance de JY8N5M N Channel Enhancement Mode pour l'alimentation d'énergie de mode de commutateur

Description générale

Le produit utilise les techniques de traitement planaires avancées pour réaliser la densité élevée de cellules et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ces caractéristiques combinent pour faire cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications. Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.

Caractéristiques

500V/8A, le RDS (DESSUS) =0.75Ω@VGS=10V (typique)
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
 

Applications

Éclairage
●Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé

PIN Description

Contour du paquet TO-252

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