Charge fictive de DAS BTS -120dBc 200W rf 50 ohms
Number modèle:VN-LD-4G-200W-ONM
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:5
Conditions de paiement:D/A, D/P, T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement:500PCS PAR JOUR
Manipulation de puissance:200 watts
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Hefei Anhui China
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Route de GangHuai, nouvelle zone industrielle, ville de GangJi, comté de ChangFeng, ville de Hefei, province d'Anhui, P.R.China
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200 watts de N du mle 3.8GHz 4GHz rf d'arrêt de charge fictive
La charge fictive/bas PIM Termination /Load est un dispositif utilisé pour arrêter un certain port comme charge de puissance de rf en examinant d'autres produits de rf ou arrêter le rayonnement de puissance de rf quand un certain port n'est pas employé actuellement, la théorie assortit l'impédance semblable au vrai dispositif qui sera relié au système de rf. La charge fictive également absorbera une certaine puissance et chauffage d'obtention quand des travaux de système de MLDS, ainsi quand la charge fictive d'utilisation pour arrêter un certain port dans le système de rf, attention de salaire la puissance manipulant, autrement peut être surchauffée.
Vinncom fournira les charges fictives dans la puissance différente pour la plage de fréquence différente, il peut être jusqu' 67GHz.
Pour un certain système de rf, il aura besoin de la bonne valeur de PIM, vinncom peut fournir -130dbc, - 140dbc et -165dbc PIM.
| Numéro de la pièce | VN-LD-4G-200W-ONm |
| Fréquence de fonctionnement (gigahertz) | 0-4 |
| Impédance (ohm) | 50 |
| VSWR | ≤1.20 |
| IM3 (dBc @ 2×43dBm) | -110 / -120 |
| Application | D'intérieur et extérieur |
| Degré de protection | IP65 |
| Température de fonctionnement (℃) | -40 | + 80 |
| Interface | Mle de N |
| Manipulant la puissance (watt, maximum) | 200 |
| Dimension (millimètre) (L×W×H, connecteur d'excl) | 200×142×65 |
| Poids net (G) | ± 2050 20 |
| Dimensions de emballage (millimètre, L×W×H) | 300 × 120 du × 170 |
| Taille de emballage de carton (millimètre, L×W×H) | 620 × 190 du × 500 |
| Conformité de ROHS | Oui |
| Révision | R1 |
| Date | 27-Sept -2020 |
Charge fictive de DAS BTS -120dBc 200W rf 50 ohms
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