Puce d'IC de mémoire instantanée de H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC
Number modèle:IC de mémoire Hynix
Point d'origine:Corée du Sud, Chine
Quantité d'ordre minimum:100pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, MoneyGram
Nom de produit:Circuit intégré
marque:SK Hynix
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Shenzhen Guangdong China
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6F, Z-bon parc d'innovation de la Science, route de no. 4 Yintian, Sous-secteur de Xixiang, secteur de Banao, Shenzhen, Chine
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Mémoire IC de SK Hynix
Circuit intégré Chips Electronics Components d'IC de mémoire de SK Hynix
Le hynix inc. de SK est un fournisseur sud-coréen de semi-conducteur de mémoire des puces de mémoire vive dynamique et des puces de mémoire instantanée. Hynix est le deuxième plus grand fabricant de circuits intégrés de la mémoire du monde et la société de semi-conducteur du 3rd-largest du monde. Fondé comme Hyundai Electronic Industrial Co., Ltd. en 1983 et connu comme électronique de Hyundai, la société a des sites industriels de fabrication en Corée, aux Etats-Unis, en Chine et Taïwan. En 2012, quand SK Telecom est allé bien son actionnaire principal, Hynix a fusionné au groupe de SK.
Nous ETSE offrons toutes sortes de composants d'IC de hynix de SK, tels qu'IC numérique, IC analogue, amplificateur IC, bruit IC de TV et ainsi de suite.
| Modèle non. | Description | Modèle non. | Description |
|---|---|---|---|
| HY5PS1G1631CFP-Y5C | 64M x 16 DRACHMES de la RDA, PBGA84 | HY62256ALP-70 | MÉMOIRE RAM statique, 32Kx8, 28 Pin, en plastique, DIP28 |
| HY57V641620ETP-6 | SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, en plastique, TSOP54 | H5TQ2G83BFR-H9C | 256M x 8 DRACHMES de la RDA, 20 NS, PBGA82 |
| HY57V161610FTP-7 | 1M x 16 DRACHMES SYNCHRONES, 5,4 NS, PDSO50 | H5TQ1G63EFR-PBC | DRACHME DE LA RDA, 64MX16, CMOS, PBGA96 |
| H5TQ4G63CFR-TEC | Puce de DRACHME DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA | H5TC2G63GFR-PBA | Puce de DRACHME DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA |
| H5TQ2G63DFR-PBC | SDRAM, DDR3, 2GB (X16), 96FBGA | H5TQ1G63DFR-11C | 64M x 16 DRACHMES de la RDA, PBGA96 |
| H5PS5162GFR-Y5J | DRACHME DE LA RDA, 32MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 | H5TQ1G63DFR-H9C | 64M x 16 DRACHMES de la RDA, PBGA96 |
| H5PS5162FFR-Y5C | 32M x 16 DRACHMES de la RDA, 0,45 NS, PBGA84 | H5PS5162GFR-S6C | SDRAM, DDR2, 512MB (X16), 84FBGA |
| H5PS5162FFR-G7C | DRACHME DE LA RDA, 32MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 | H5PS1G83JFR-S6C | SDRAM, DDR2, 1G (128MX8), 60FBGA |
| H5PS1G83EFR-G7CR | Puce de DRACHME DDR2 SDRAM 1.8V 60-Pin FBGA de 1G-Bit 128M x 8 | H5PS1G63KFR-S6C | Puce de DRACHME DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
| H5PS1G63JFR-S5C | SDRAM, mémoire IC, 1GB (X16), 84FBGA - synchrone, configuration de la DRACHME DDR2 de mémoire de DRACHME : 64M x 16bit, temps d'accès : -, Taille de la page : 16Kbit, no. de goupilles : 84Pins | H5PS1G63EFR-S5C-C | Puce de DRACHME DDR2 SDRAM 1.8V 84-Pin FBGA de 1G-Bit 64M x 16 |
| H5AN4G6NAFR-UHC | Puce de DRACHME DDR4 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.2V 96-Pin F-BGA | H5PS1G63EFR-Y5C | DRACHME DE LA RDA, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 |
| H5PS1G63JFR-Y5J | DRACHME DE LA RDA, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 | H5PS1G63EFR-S6C | SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA |
| H5PS1G63JFR-G7C | DRACHME DE LA RDA, 64MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 | H55S5122EFR-60M | SDRAM, mobile, 512MB, 166MHZ, 90FBGA |
| H27U1G8F2BFR-BC | NAND Flash Serial 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25000ns 63-Pin FBGA | H9TP18A8LDMCNR-KDM | Composants électroniques IC |
Nous ETSE également acheter encombrons, les produits en surplus,
excédentaires, discontinués et l'inventaire obsolète de
l'électronique. Nous sommes intéressés par toutes sortes d'IC,
condensateurs et tous les autres composants de l'électronique que
vous pouvez prendre pour un entrepôt de remise.
Puce d'IC de mémoire instantanée de H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC
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