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99,95% semi-conducteur de traitement fait sur commande Ion Implantation Accessories de tungstène
Les pièces d'implantation ionique de tungstène sont une nouvelle génération de la technologie de pointe pour la préparation de surface matérielle.
L'implantation ionique est un processus basse température par lequel les ions d'un élément sont accélérés dans une cible solide, changeant de ce fait les propriétés d'examen médical, chimiques ou électriques de la cible. L'implantation ionique est employée dans la fabrication de dispositif de semi-conducteur, le traitement de surface métallique et la recherche de science des matériaux.
L'implanter d'ion est l'équipement principal en faisant le circuit intégré. Quand des faisceaux ioniques étant tirés sur la surface du semi-conducteur et déposés, la concentration en transporteur et le type de conduction est changés. Possédant son excellente modification extérieure, l'implantation ionique est largement appliquée dans le matériel semi de conduite, le métal, la céramique, le polymère de grande molécularité, l'implantation ionique etc. est essentielle en faisant le circuit intégré massif (IC). Les pièces de molybdène sont les composantes clés dans le système de source d'ions de l'implanter d'ion de semi-conducteur pour retenir et protéger le composant d'implantation ionique du rayon s'ionisant. .molybdenum pour l'implanter d'ion.
Spécifications et compositions chimiques
Matériel | Type | Composition chimique (en poids) |
Tungstène pur | W1 | >99.95%min. MOIS |
Alliage de cuivre de tungstène | WCu | Cu de 10%~50%/50%~90% W |
Alliage lourd de Tungten | WNiFe | 1.5 % - 10 % Ni, Fe, MOIS |
Alliage lourd de Tungten | WNiCu | Ni de 5 % - de 9.8 %, Cu |
Rhénium de tungstène | WRe | 5,0 % re |
Tungstène de Moly | MoW50 | 0,0 % W |
Avantages des pièces d'implantation ionique de tungstène
(1) la couche d'implantation ionique n'a aucune interface évidente avec le matériel de matrice, tellement il n'y a aucune fracture d'adhérence ou épluchage sur la surface, et elle est fermement collée avec la matrice.
(2) l'implantation ionique peut exactement commander la distribution de concentration et de profondeur des ions implantés en commandant la dose d'implantation, l'énergie d'implantation et la densité de poutre.
(3) l'implantation ionique est généralement effectuée dans la température ambiante et le vide. La surface usinée d'objet est invisible et exempte d'oxydation. Elle peut maintenir l'exactitude dimensionnelle originale et l'aspérité. Il est particulièrement approprié au processus final des pièces haute précision.
(4) l'effort de compression peut être formé sur la couche extérieure de l'objet pour réduire les fissures extérieures.
(5) le vide poussé propre et le processus et les matériaux non-toxiques sont adoptés, la température de traitement est basse, et la représentation globale du matériel traiter n'est pas affectée.
Application : pièces de rechange d'implanter d'ion de
tungstène pour le semi-conducteur
1. La plupart des pièces de tungstène pour l'implantation
ionique sont employées dans l'industrie de semi-conducteur ;
pièces de tungstem du produit 2.We pour l'implantation ionique avec
la haute densité, la pureté et l'exactitude et la structure interne
homogène ;
3. Nos pièces de tungstène pour l'implantation ionique
conviennent l'implanter actuel de poutre modérée et l'implanter
actuel de poutre forte ;
4. des pièces de tungstène pour l'implantation ionique sont
faites selon le dessin de client.