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| Emballage | Coupez la bande (les CT) |
|---|---|
| Statut de partie | Cessé la Digi-clé |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 100V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 2.5A (merci), 11A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 140 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.8V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 540pF @ 50V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 2.1W (merci), 45W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252, (D-PAK) |
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