PCT épitaxial TO92 160V 1A de silicium bipolaire de transistor de 2SC2383 NPN
Point d'origine:LES USA
Number modèle:2SC2383
Capacité d'approvisionnement:859000PCS/Day
Détails de empaquetage:Boîte/bobine/tube
Quantité d'ordre minimum:10
Délai de livraison:1-7 jours
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen
Adresse:
Rm18 B, bloquent A, route de Duhui100 Zhonghang, secteur de Futian, Shenzhen Chine
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Description de produit
| Emballage | Le volume |
|---|---|
| Statut de partie | Obsolète |
| Type de transistor | NPN |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 1A |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 160V |
| Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC | 1.5V @ 50mA, 500mA |
| Actuel - coupure de collecteur (maximum) | 1µA (ICBO) |
| Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce | 60 @ 200mA, 5V |
| Puissance - maximum | 900mW |
| Fréquence - transition | 100MHz |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-92MOD |
Yonlanda Skype : qyt-yolanda1 Email : yonlandasong () quanyuantong.net |
PCT épitaxial TO92 160V 1A de silicium bipolaire de transistor de 2SC2383 NPN
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