Saupoudrez le composant électronique IC de convertisseur du rendement élevé DC-DC de N-canal du transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 de transistor MOSFET
Point d'origine:LES USA
Number modèle:TPCA8016-H
Type de paquet:QFN8
Type:Transistor à effet de champ
Paquet/cas:QFN8
Statut sans plomb/statut de RoHS:Sans plomb/RoHS conforme
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen
Adresse:
Rm18 B, bloc A, route de Duhui100 Zhonghang, secteur de Futian, Shenzhen Chine
dernière connexion fois fournisseur:
dans 25 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Description de produit
| Emballage | Digi-bobine |
|---|---|
| Statut de partie | Obsolète |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 25A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 21 mOhm @ 13A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.3V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1375pF @ 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 1.6W (merci), 45W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | Avance 8-SOP (5x5) |
| Paquet/cas | 8-PowerVDFN |
Caractéristique :
Applications haute efficacité de convertisseur de DC/DC
• Petite empreinte de pas due au petit et mince paquet
• Commutation ultra-rapide
• Petite charge de porte : Qsw = 6,6 OR (type.)
• Basse drain-source SUR la résistance : MΩ 16 du RDS (DESSUS) = (type.)
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 40 S (type.)
• Bas courant de fuite : IDSS = µA 10 (maximum) (VDS = 60 V)
• Mode d'amélioration : Vth = 1,1 2,3 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)
Applications haute efficacité de convertisseur de DC/DC
• Petite empreinte de pas due au petit et mince paquet
• Commutation ultra-rapide
• Petite charge de porte : Qsw = 6,6 OR (type.)
• Basse drain-source SUR la résistance : MΩ 16 du RDS (DESSUS) = (type.)
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 40 S (type.)
• Bas courant de fuite : IDSS = µA 10 (maximum) (VDS = 60 V)
• Mode d'amélioration : Vth = 1,1 2,3 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)
Yonlanda Skype : qyt-yolanda1 Email : yonlandasong () quanyuantong.net |
Saupoudrez le composant électronique IC de convertisseur du rendement élevé DC-DC de N-canal du transistor TPCA8016-H TPCA8016H QFN8 60V 25A 1 de transistor MOSFET
Inquiry Cart
0