Transistor MOSFET original TNP et fossé 1200V 50A TO-3P Chine du transistor 25N120 le nouveau IGBT de FGA25N120ANTD FGA25N120 faite entassent en vrac nouveau en stock
Application:Amplificateur
Type de fournisseur:Fabricant original, agence, détaillant
Correspondance:La Chine a fait, entasse en vrac nouveau
Médias disponibles:Photo
Point d'origine:LES USA
Number modèle:FGA25N120ANTD
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen
Adresse:
Rm18 B, bloc A, route de Duhui100 Zhonghang, secteur de Futian, Shenzhen Chine
dernière connexion fois fournisseur:
dans 25 heures
Détails du produit
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Détails du produit
Détail de produit
| Emballage | Tube |
|---|---|
| Statut de partie | Actif |
| Type d'IGBT | TNP et fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 50A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 90A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.65V @ 15V, 50A |
| Puissance - maximum | 312W |
| Énergie de changement | 4.1mJ (dessus), 960µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 200nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 50ns/190ns |
| Condition d'essai | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 350ns |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-3P |
| Numéro de la pièce bas | FGA25N120A |
Transistor MOSFET original TNP et fossé 1200V 50A TO-3P Chine du transistor 25N120 le nouveau IGBT de FGA25N120ANTD FGA25N120 faite entassent en vrac nouveau en stock
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