2N7002 bâti extérieur du N-canal 60V 115MA SOT-23 200mW de transistor de transistor MOSFET du transistor 2N7002
Point d'origine:LES USA
Number modèle:2N7002
Type de paquet:bâti extérieur
Marque:Transistor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Température de fonctionnement:-55°C | 150°C (TJ)
Type de support:bâti extérieur
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Shenzhen
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Rm18 B, bloc A, route de Duhui100 Zhonghang, secteur de Futian, Shenzhen Chine
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Détail de produit
| Emballage | Coupez la bande (les CT) |
|---|---|
| Statut de partie | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) | 60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 115mA (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 7,5 ohms @ 500mA, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 200mW (ventres) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23 (TO-236AB) |
| Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Numéro de la pièce bas | 2N7002 |
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