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Emballage | Bande et bobine (TR) |
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Statut de partie | Actif |
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 4A (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 44 mOhm @ 4.3A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V |
Vgs (maximum) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1200pF @ 15V |
Dissipation de puissance (maximum) | 1.4W (ventres) |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3L |
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