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Transistor de puissance bipolaire de silicium du transistor (BJT)
2N3055 MJ2955
Emballage | Plateau |
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Statut de partie | Obsolète |
Type de transistor | PNP |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 15A |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 60V |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC | 3V @ 3.3A, 10A |
Actuel - coupure de collecteur (maximum) | 700µA |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Puissance - maximum | 115W |
Fréquence - transition | - |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Montage du type | Bti de chssis |
Paquet/cas | TO-204AA, TO-3 |
Numéro de la pièce bas | MJ2955 |
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