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Détail de produit
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
---|---|---|
Statut de partie | Actif | |
Type de FET | N-canal | |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 40V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 13A (merci), 50A (comité technique) | |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.6V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 33nC @ 10V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1800pF @ 20V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.3W (merci), 50W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) | |
Montage du type | Bti extérieur | |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252, (D-PAK) | |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
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