10*10mm2 U-GaN GaN Single-Crystal Substrate libre

substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN

PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.

PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.

Montre ici des spécifications de détail :

substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN

substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN

Le substrat de GaN de PAM-XIAMEN (nitrure de gallium) est substrat monocristallin avec de haute qualité, qui est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette. Elles sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et de LD (violet, bleu et vert), en outre le développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.

La technologie de GaN est employée dans de nombreuses applications de haute puissance telles que les alimentations industrielles, du consommateur et de serveur d'énergie, la commande solaire, C.A. et les inverseurs d'UPS, et les voitures hybrides et électriques. En outre, GaN approprié idéalement aux applications de rf telles que les stations de base, les radars et l'infrastructure cellulaires TV par cble dans la mise en réseau, des secteurs d'espace et de défense, grce sa haute résistance de panne, figure faible bruit et des linéarités élevées.

RAPPORT de Matériel-ESSAI de basculage de courbes-GaN de XRD

Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.

La moitié-taille de grande largeur (FWHM) est une expression de la gamme des fonctions indiquées par la différence entre deux valeurs extrêmes de la variable indépendante égale la moitié de son maximum. En d'autres termes, c'est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe des y, qui est moitié de l'amplitude maximum.

Est ci-dessous un exemple des courbes de basculage de XRD du matériel de GaN :

Courbes de basculage de XRD de matériel de GaN

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.