4 pouces SI-ont enduit GaN sur des substrats de saphir pour les diodes électroluminescentes évidentes

4 pouces SI-ont enduit GaN sur des substrats de saphir pour les diodes électroluminescentes évidentes

Les produits du calibre de PAM-XIAMEN se composent des couches cristallines de nitrure de gallium (GaN), de nitrure en aluminium (AlN), de nitrure en aluminium de gallium (AlGaN) et de nitrure de gallium d'indium (InGaN), qui est déposée sur des substrats de saphir. Les produits du calibre de PAM-XIAMEN permettent 20-50% durées de cycle plus courtes d'épitaxie et couches épitaxiales plus de haute qualité de dispositif, avec une meilleure qualité structurelle et une conduction thermique plus élevée, qui peuvent améliorer des dispositifs dans le coût, le rendement, et la représentation.

Pam-XIAMEN'sGaN sur des calibres de saphir sont disponible de diamètre de 2" jusqu' 6", et se composent d'une couche mince de GaN cristallin développée sur un substrat de saphir. calibres Epi-prêts maintenant disponibles.

Montre ici des spécifications de détail :

substrats de GaN SI-enduits par 4inch/saphir

substrats de GaN SI-enduits par 4inch/saphir

Rapport de FWHM et de XRD

Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.

Projet d'essai : Projet de FWHM et de XRD

La moitié-taille de grande largeur (FWHM) est une expression de la gamme des fonctions indiquées par la différence entre deux valeurs extrêmes de la variable indépendante égale la moitié de son maximum. En d'autres termes, c'est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe des y, qui est moitié de l'amplitude maximum.

Est ci-dessous un exemple de FWHM et de XRD de calibre d'AlN :

FWHM et XRD de calibre d'AlN

FWHM et XRD de calibre d'AlN

Ici nous montrons l'expérience comme exemple :

Expérience sur GaN sur le saphir : Propriétés optoélectroniques et caractérisation structurelle des couches épaisses de GaN sur différents substrats par le dépôt de laser pulsé :

Expérience sur GaN sur le saphir : Propriétés optoélectroniques et caractérisation structurelle des couches épaisses de GaN sur différents substrats par le dépôt de laser pulsé :

Tous les échantillons de film de GaN ont été déposés sur différents substrats par PLD au ◦C 1000 dans une atmosphère ambiante de plasma d'azote. La chambre a été pompée vers le bas aux torr 10−6 avant que le procédé de dépôt ait commencé, et le gaz de N2 (avec une pureté de 99,999%) a été présenté. La pression d'utilisation une fois que le plasma de N2 était injecté était le torr 1,13 du × 10−4. Un laser d'excimère de KrF (λ = 248 nanomètre, lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, Etats-Unis) a été utilisé comme source d'ablation et actionné avec un taux de répétition de 1 hertz et d'une énergie d'impulsion de 60 MJ. Le taux de croissance moyen du film de GaN était approximativement 1 µm/h. L' rayon laser était incident sur une cible tournante sous un angle de 45◦. La cible de GaN a été fabriquée par HVPE et ensemble une distance fixe de 9 cm du substrat avant d'être tournée 30 t/mn pendant le dépôt de film. Dans ce cas, ~4 films µm-épais de GaN ont été développés sur un calibre de GaN/saphir (échantillon A), saphir (échantillon B), SI (111) (échantillon C), et SI (100) (échantillon D). Pour le GaN sur l'échantillon A, une couche de 2-µm GaN a été premièrement déposée sur le substrat de saphir par MOCVD. La microscopie électronique de balayage (SEM, S-3000H, Hitachi, Tokyo, Japon), le microcopy d'électron de transmission (TEM, H-600, Hitachi, Tokyo, Japon), la microscopie atomique de force (AFM, DI-3100, Veeco, New York, NY, Etats-Unis), la diffraction des rayons X de double-cristal (XRD, X'Pert PRO millirutherford, PANalytical, Almelo, Pays-Bas), le photoluminescence basse température (PL, Flouromax-3, Horiba, Tokyo, Japon), et la spectroscopie de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tokyo, Japon) ont été utilisés pour explorer la microstructure et les propriétés optiques des calibres de GaN déposés sur différents substrats. Les propriétés électriques des films de GaN ont été déterminées par la mesure de Van der Pauw-Hall sous l'azote liquide se refroidissant 77 K

La résistivité électrique des films de GaN développés sur différents substrats est montrée dans la figure 5a. La résistivité électrique des quatre échantillons s'est avérée dans le Ω 16.2-32.8 de gamme·cm. La résistivité électrique de l'échantillon D était la plus grande, alors que ce de l'échantillon A était le plus petit. La résistivité électrique se corrèle avec la densité de défaut, et la densité élevée de défaut dans les films peut causer une diminution de la résistivité électrique [30]. Les valeurs de la résistivité électrique des échantillons C et D étaient très étroites, qui est compatible aux configurations structurelles des films développés sur ces substrats, comme discuté ci-dessus. Car la résistivité électrique est inversement proportionnelle la concentration en transporteur et la mobilité des porteuses, la résistivité électrique des films développés sur les différents substrats peut être déterminée de leurs measdiscuurements. Hall basse température des données que de mesure des films de GaN développés sur les différents substrats sont montrées dans la figure 5b, échantillon A de C. a montré la plus basse concentration en transporteur et la mobilité des porteuses la plus élevée, de ce fait ayant pour résultat un plus grand nombre de chemins conducteurs. La concentration en transporteur dans l'échantillon D était plus haute que celle dans les autres, tandis que sa mobilité des porteuses était la plus basse. Ceci peut être attribué l'existence d'un défaut intrinsèque élevé et de plusieurs joints de grain dans le film. Ces défauts emprisonnent et dispersent les électrons mobiles, de ce fait diminuant leur mobilité dans les films de GaN [31,32].

Variation du schéma 5. (a) de la résistivité ; (b) concentration en transporteur ; et (c) mobilité des films de GaN avec différents substrats

Conclusion : les lms épais de fi de GaN développés sur un calibre de GaN/saphir, le saphir, le SI (111), et le SI (100) par PLD hautes températures. L'effet de substrat sur la qualité cristalline de croissance de GaN, la morphologie extérieure, le comportement d'effort, et la propriété d'interface ont été étudiés, si vous avez besoin de plus d'information produit, svp s'enquièrent nous.

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de intégration matérielle de semi-conducteur de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont gisement de deux canalisations : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN sur sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés physiques, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique incite la société avoir des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.