Type du Sur-axe 6H N sic gaufrette (de carbure de silicium), catégorie de production, Epi prêt, 2" taille

Brand Name:PAM-XIAMEN
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type sic gaufrette, catégorie de production, Epi prêt, 2" de 6H N taille

PAM-XIAMEN fournit l'industrie électronique et optoélectronique de haute qualité de waferfor de monocristal sic (carbure de silicium). Sic la gaufrette est les propriétés électriques uniques d'un materialwith de semi-conducteur de prochaine génération et les excellentes propriétés thermiques pour l'application de dispositif de puissance hautes températures et élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2~6 pouces, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information.

 

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

 

PolytypeMonocristal 4HMonocristal 6H
Paramètres de trellisa=3.076 Åa=3.073 Å
 c=10.053 Åc=15.117 Å
Empilement de l'ordreABCBABCACB
Bande-GapeV 3,26eV 3,03
Densité3,21 · 103 kg/m33,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion4-5×10-6/K4-5×10-6/K
Index de réfractionaucun = 2,719aucun = 2,707
 Ne = 2,777Ne = 2,755
Constante diélectrique9,69,66
Conduction thermique490 W/mK490 W/mK
Champ électrique de panne2-4 · 108 V/m2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation2,0 · 105 m/s2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons800 cm2/V·S400 cm2/V·S
mobilité de trou115 cm2/V·S90 cm2/V·S
Dureté de Mohs~9~9

 

type sic gaufrette, catégorie de production, Epi prêt, 2" de 6H N taille

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRATS6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
DescriptionSubstrat de la catégorie 6H de production sic
Polytype6H
Diamètre(50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Type de transporteurde type n
DopantAzote
Résistivité (RT)0,02 | 0,1 Ω·cm
Aspérité< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c)
FWHM<30 arcseconde de l'arcseconde <50
Densité de MicropipeA+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure
Sur l'axe<0001>± 0.5°
Outre de l'axe3.5° vers <11-20>± 0.5°
Orientation plate primaireMettez en parallèle {le ± 5° de 1-100}
Longueur plate primaire± 16,00 1,70 millimètres
Orientation plate secondaireSI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieureVisage simple ou double poli
EmpaquetageBoîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable≥ 90 %
Exclusion de bord1 millimètre

 

Structure cristalline sic

Sic le cristal a beaucoup de différentes structures cristallines, qui s'appelle les polytypes. Les polytypes les plus communs sic actuellement d'être développé pour l'électronique sont les 3C-SiC cubiques, les 4H-SiC et les 6H-SiC hexagonaux, et les 15R-SiC rhomboédriques. Ces polytypes sont caractérisés par l'ordre de empilement des couches de biatom sic de la structure. Pour plus de détails, enquérez-vous svp notre équipe d'ingénieur.

 

Empilement de l'ordre :

Si nous allons faire une structure stratifiée, nous devons connaître l'épaisseur de chaque pli et l'angle de chaque pli traditionnellement en degrés définis de la couche supérieure vers le bas.

 

Dureté de Mohs :

Mesure approximative de la résistance d'une surface douce l'éraflure ou l'abrasion, exprimée en termes d'échelle conçue (1812) par le minéralogiste allemand Friedrich Mohs. La dureté de Mohs d'un minerai est déterminée en observant si sa surface est rayée par une substance de dureté connue ou définie.

 

Densité :

Le   de densité ou la densité de masse d'un matériel est sa masse par volume unitaire. Le symbole le plus employé souvent pour la densité est ρ (le rho grec minuscule de lettre). Mathématiquement, la densité est définie comme masse divisée par le volume :

 

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Type du Sur-axe 6H N sic gaufrette (de carbure de silicium), catégorie de production, Epi prêt, 2" taille

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