Name: type de 4H N sic catégorie factice 6 taille pour la gaufrette ou essai fonctionnant déquipement
Brand: PAM-XIAMEN
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type de 4H N sic, catégorie factice, 6" taille pour la gaufrette ou essai fonctionnant d'équipement

Brand Name:PAM-XIAMEN

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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

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Xiamen Fujian China

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Détails du produit

type de 4H N sic, catégorie factice, 6" taille

PAM-XIAMEN offre des gaufrettes de carbure de silicium de semi-conducteur, 6H sic et 4H sic dans différentes classes de qualité pour des fabricants de chercheur et d'industrie. Nous a développé la technologie de cristallogénèse sic et la technologie transformatrice de gaufrette sic en cristal, établies une chaîne de production au fabricant SiCsubstrate, qui est appliqué dans GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositif hautes températures et des dispositifs optoélectroniques. Comme une société professionnelle investie par les principaux fabricants des champs des instituts matériels avancés et de pointe de recherches et d'état et du laboratoire du semi-conducteur de la Chine, nous sont consacrées pour améliorer sans interruption la qualité actuellement des substrats et pour développer les substrats de grande taille.

Montre ici des spécifications de détail :

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Polytype	Monocristal 4H	Monocristal 6H
Paramètres de trellis	a=3.076 Å	a=3.073 Å
	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Empilement de l'ordre	ABCB	ABCACB
Bande-Gap	eV 3,26	eV 3,03
Densité	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Index de réfraction	aucun = 2,719	aucun = 2,707
	Ne = 2,777	Ne = 2,755
Constante diélectrique	9,6	9,66
Conduction thermique	490 W/mK	490 W/mK
Champ électrique de panne	2-4 · 108 V/m	2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
mobilité de trou	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Dureté de Mohs	~9	~9

type de 4H N sic, catégorie factice, 6" taille

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT	S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
Description	Substrat factice de la catégorie 4H sic
Polytype	4H
Diamètre	(50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur	(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Type de transporteur	de type n
Dopant	Azote
Résistivité (RT)	0,012 – 0,0028 Ω·cm
Aspérité	< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c)
FWHM	arcseconde <50
Densité de Micropipe	A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure
Sur l'axe	<0001>± 0.5°
Outre de l'axe	4°or 8° vers <11-20>± 0.5°
Orientation plate primaire	± 5° du parallèle {1-100}
Longueur plate primaire	± 16,00 1,70) millimètre
Orientation plate secondaire	SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
	C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire	± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieure	Visage simple ou double poli
Empaquetage	Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable	≥ 90 %
Exclusion de bord	1 millimètre

Propriétés de monocristal sic

Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.

Propriété de de carbure de silicium (sic)

Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :

Propriété	Valeur	Conditions
Densité	3217 kg/m^3	hexagonal
Densité	3210 kg/m^3	cubique
Densité	3200 kg/m^3	Monocristal
Dureté, Knoop (KH)	2960 kg/mm/mm	100g, en céramique, noir
Dureté, Knoop (KH)	2745 kg/mm/mm	100g, en céramique, vert
Dureté, Knoop (KH)	2480 kg/mm/mm	Monocristal.
Module de Young	700 GPa	Monocristal.
Module de Young	410,47 GPa	En céramique, density=3120 kg/m/m/m, la température ambiante
Module de Young	401,38 GPa	En céramique, density=3128 kg/m/m/m, la température ambiante
Conduction thermique	350 W/m/K	Monocristal.
Limite conventionnelle d'élasticité	21 GPa	Monocristal.
Capacité de chaleur	1,46 J/mol/K	En céramique, temp=1550 C.
Capacité de chaleur	1,38 J/mol/K	En céramique, temp=1350 C.
Capacité de chaleur	1,34 J/mol/K	En céramique, temp=1200 C.
Capacité de chaleur	1,25 J/mol/K	En céramique, temp=1000 C.
Capacité de chaleur	1,13 J/mol/K	En céramique, temp=700 C.
Capacité de chaleur	1,09 J/mol/K	En céramique, temp=540 C.
Résistivité électrique	1. 1e+10 Ω*m	En céramique, temp=20 C
Résistance la pression	0,5655. 1,3793 GPa	En céramique, temp=25 C
Module de la rupture	0,2897 GPa	En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance
Module de la rupture	0,1862 GPa	Ceramifc, la température ambiante
Le coefficient de Poisson	0,183. 0,192	En céramique, la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m
Module de la rupture	0,1724 GPa	En céramique, temp=1300 C
Module de la rupture	0,1034 GPa	En céramique, temp=1800 C
Module de la rupture	0,07586 GPa	En céramique, temp=1400 C
Résistance la traction	0,03448. 0,1379 GPa	En céramique, temp=25 C

*Reference : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle

Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :

Propriété	Monocristal 4H	Monocristal 6H
Paramètres de trellis	a=3.076 Å	a=3.073 Å
Paramètres de trellis	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Empilement de l'ordre	ABCB	ABCACB
Bande-Gap	eV 3,26	eV 3,03
Densité	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Index de réfraction	aucun = 2,719	aucun = 2,707
Index de réfraction	Ne = 2,777	Ne = 2,755
Constante diélectrique	9,6	9,66
Conduction thermique	490 W/mK	490 W/mK
Champ électrique de panne	2-4 · 108 V/m	2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
mobilité de trou	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Dureté de Mohs	~9	~9

*Reference : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.

Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :

Sic Polytype	3C-SiC	4H-SiC	6H-SiC
Structure cristalline	Blende de zinc (cubique)	Wurtzite (hexagonale)	Wurtzite (hexagonale)
Groupe de symétrie	T2d-F43m	C46v-P63mc	C46v-P63mc
Module de compressibilité	cm2 de 2,5 x 1012 dyne	cm2 de 2,2 x 1012 dyne	cm2 de 2,2 x 1012 dyne
Coefficient linéaire de dilatation thermique	2,77 (42) x 10-6 K-1
La température de Debye	K 1200	K 1300	K 1200
Point de fusion	3103 (40) K	3103 ± 40 K	3103 ± 40 K
Densité	3,166 g cm-3	3,21 g cm-3	3,211 g cm-3
Dureté	9.2-9.3	9.2-9.3	9.2-9.3
Microdureté extérieure	2900-3100 kilogrammes mm-2	2900-3100 kilogrammes mm-2	2900-3100 kilogrammes mm-2
Constante diélectrique (statique)	ε0 ~= 9,72	La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée	ε0, ~= 9,66 d'ort
Indice de réfraction infrarouge	~=2.55	~=2.55 (axe de c)	~=2.55 (axe de c)
Indice de réfraction n (λ)	~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2	~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2	~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2
Indice de réfraction n (λ)	~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2	~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2	~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2
Coefficient radiatif de recombinaison		1,5 x 10-12 cm3/s	1,5 x 10-12 cm3/s
Énergie optique de photon	mev 102,8	mev 104,2	mev 104,2
La masse d'électron efficace ml (longitudinal)	0.68mo	0.677(15) MOIS	0.29mo
La masse d'électron efficace ml (longitudinal)	0.68mo	0.677(15) MOIS	0.29mo
La masse d'électron efficace mt (transversal)	0.25mo	0.247(11) MOIS	0.42mo
La masse d'électron efficace mt (transversal)	0.25mo	0.247(11) MOIS	0.42mo
La masse efficace de la densité du mcd d'états	0.72mo	0.77mo	2.34mo
La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie	0.35mo	0.37mo	0.71mo
	0.35mo	0.37mo	0.71mo
La masse efficace de la conductivité MCC	0.32mo	0.36mo	0.57mo
La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ?	0,6 MOIS	~1,0 MOIS	~1,0 MOIS
Constante de trellis	a=4.3596 A	a = 3,0730 A	a = 3,0730 A
Constante de trellis	a=4.3596 A	b = 10,053	b = 10,053

* référence : IOFFE

Sic référence du fabricant 4H et sic 6H : PAM-XIAMEN est le promoteur principal mondial de la technologie semi-conducteur d'éclairage, il offre un en trait plein : De Sinlge de cristal gaufrette sic et gaufrette épitaxiale et sic récupération de gaufrette

Redresseurs sic de haute puissance

Le redresseur de diode de haute puissance est un bloc constitutif critique des circuits de conversion de puissance. Des examens récents sic des résultats expérimentaux de redresseur sont donnés dans les références 3, 134, 172, 180, et 181. La plupart des sic compromis de conception importants de dispositif de redresseur de diode mettent en parallèle rudement des compromis bien connus de redresseur de silicium, excepté le fait que les densités de courant, les tensions, les densités de puissance, et les vitesses de commutation sont beaucoup plus hautes dedans sic. Par exemple, les redresseurs de diode de Schottky de semi-conducteur sont des dispositifs de transporteur de majorité qui sont bien connus pour montrer la commutation très rapide dû l'absence du stockage de charge de transporteur de minorité qui domine (c.--d., ralentit, défavorablement ayant pour résultat la puissance et la chaleur de rebut peu désirées) le fonctionnement de commutation des redresseurs de jonction bipolaires de PN. Cependant, le champ élevé de panne et le fonctionnement large d'autorisation de bandgap d'énergie sic des diodes de Schottky de métal-semi-conducteur des tensions beaucoup plus élevées (au-dessus de 1 kilovolt) qu'est pratique avec les diodes siliconbased de Schottky qui sont limitées l'opération en-dessous de ~200 V dû la fuite thermoïonique d'inverse-polarisation beaucoup plus élevée.

Profil de la société

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de intégration matérielle de semi-conducteur de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont gisement de deux canalisations : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN sur sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés physiques, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique incite la société avoir des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.

Mots clés du produit:

type de 4H N sic, catégorie factice, 6" taille pour la gaufrette ou essai fonctionnant d'équipement

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