Type de N, gaufrette de semi-conducteur d'INP (phosphure d'indium), 2", catégorie d'essai

N dactylographient, la gaufrette d'INP, 2", catégorie d'essai

PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes de phosphure d'indium de monocristal de grande pureté pour des applications d'optoélectronique. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 25,4 millimètres (1 pouce) 200 millimètres (6 pouces) dans la taille ; des gaufrettes peuvent être produites dans diverses épaisseurs et orientations avec les côtés polis ou non polis et peuvent inclure des dopants. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie technique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offrent également des matériaux aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.

N dactylographient, la gaufrette d'INP, 2", catégorie d'essai

Quelle est gaufrette d'INP ?

Le phosphure d'indium est un semblable matériel semi-conducteur la GaAs et au silicium mais est vraiment beaucoup un produit de créneau. Il est très efficace développer le traitement très ultra-rapide et est plus cher que la GaAs en raison des grandes longueurs de recueillir et développer les ingrédients. Jetons un coup d'oeil encore plus de faits sur le phosphure d'indium comme il concerne une gaufrette d'INP.

Paramètres de recombinaison

Si le niveau de Fermi extérieur EFS est goupillé près du mi-vide (EFS | par exemple /2) la vitesse de recombinaison extérieure augmente de ~5·10-3cm/s pour enduire le niveau no~3·1015 cm-3 ~106 cm/s pour enduire le niveau aucun | 3·1018cm-3 (  de   de Bothra et autres [1991]).

L'INP est utilisé dans l'électronique de haute puissance et haute fréquence [citation requise] en raison de sa vitesse supérieure d'électron en ce qui concerne les semi-conducteurs plus communs silicium et l'arséniure de gallium.

Il a été employé avec de l'arséniure de gallium d'indium pour noter cassant l'hétérojonction pseudo-morphique le transistor bipolaire qui pourrait fonctionner 604 gigahertz.

Il a également un bandgap direct, le rendant utile pour des dispositifs d'optoélectronique comme des diodes lasers. La société Infinera emploie le phosphure d'indium en tant que son matériel technologique principal pour fabriquer les circuits intégrés photoniques pour l'industrie des télécommunications optique, pour permettre des applications de multiplexage de longueur d'onde-division.

L'INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs optoélectroniques basés épitaxiaux d'arséniure de gallium d'indium.

Recherchez-vous une gaufrette d'INP ?

PAM-XIAMEN est votre aller- l'endroit pour tout des gaufrettes, y compris des gaufrettes d'INP, comme nous l'avions fait pendant presque 30 années ! Enquérez-vous nous aujourd'hui pour apprendre plus au sujet des gaufrettes que nous offrons et de la façon dont nous pouvons vous aider avec votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.