Type de P, Crystal InAs Substrate simple, 3", catégorie principale
Brand Name:PAM-XIAMEN
Minimum Order Quantity:1-10,000pcs
Delivery Time:5-50 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:China
Supply Ability:10,000 wafers/month
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Xiamen Fujian China
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#506B, centre d'affaires de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zone de pointe, Huli, Xiamen 361006, Chine
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P dactylographient, le substrat d'InAs, 3", catégorie principale
PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes d'arséniure d'indium de monocristal de grande pureté pour des applications d'optoélectronique. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 25,4 millimètres (1 pouce) 100 millimètres (6 pouces) dans la taille ; des gaufrettes peuvent être produites dans diverses épaisseurs et orientations avec les côtés polis ou non polis et peuvent inclure des dopants. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie mécanique, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie technique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offre également des matériaux aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.
3" spécifications de gaufrette d'InAs
| Article | Caractéristiques |
| Dopant | Zinc |
| Type de conduction | de type p |
| Diamètre de gaufrette | 3" |
| Orientation de gaufrette | (100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 600±25um |
| Longueur plate primaire | 22±2mm |
| Longueur plate secondaire | 11±1mm |
| Concentration en transporteur | (1-10) x1017cm-3 |
| Mobilité | 100-400cm2/V.s |
| EPD | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARC | <12um |
| CHAÎNE | <15um |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Quelle est gaufrette d'InAs ?
L'arséniure d'indium est un genre de matériel de semi-conducteur de composé d'III-V composé d'indium et d'arsenic. C'est un solide de gris argenté avec une structure cristalline de sphalérite la température ambiante. La constante de trellis est 0.6058nm, et la densité est 5.66g/cm (solide) et 5.90g/cm (liquide au point de fusion). La structure de bande est une transition directe avec un espace de bande (300K) de 0.45ev la pression de dissociation de même que seulement 0.033mpa, et le monocristal peut être développé de la fonte la pression atmosphérique. Les méthodes utilisées généralement sont HB et LEC. InAs est un genre de matériel de semi-conducteur il est difficile épurer que. La concentration en transporteur résiduelle est plus haute que l le × 10/cm, la mobilité des électrons de température ambiante est 3,3 le ^ 3cm/(du × 10 V · s), et la mobilité de trou est 460cm/(V · s). Le coefficient de ségrégation efficace de soufre dedans dedans et de même que proche de 1, ainsi lui est employé en tant que dopant de type n pour améliorer l'uniformité de la distribution longitudinale de concentration en transporteur. Pour le monocristal d'InAs (s) industriel, × 10/cm3, × 10cm/(du ≥ 1 de n du ≤ 2,0 de μ V · s), × 10/cm3 du ≤ 5 d'EPD.
Le cristal d'InAs a la mobilité des électrons et le rapport élevé de mobilité (μ E/μ H = 70), le bas effet de résistance de magnéto et le bas coefficient de température de résistance. C'est un matériel idéal pour fabriquer des dispositifs de hall et des dispositifs de résistance de magnéto. La longueur d'onde d'émission d'InAs est 3,34 le μ M. dans GaAs B, InAsPSb et des matériaux épitaxiaux multiples d'inasb avec l'assortiment de trellis peuvent être développés sur le substrat d'InAs. Les lasers et les détecteurs pour la communication de fibre optique 2-4 la bande du μ M peuvent être manufacturés.
Quelle est une gaufrette d'essai d'InAs ?
La plupart des gaufrettes d'essai sont des gaufrettes qui sont tombées hors des caractéristiques principales. Des gaufrettes d'essai peuvent être employées pour courir les marathons, équipement de test et pour la R&D extrémité élevé. Elles sont souvent une alternative rentable pour amorcer des gaufrettes.
Propriétés électriques de gaufrette d'InAs
Paramètres de base
| Champ de panne | ≈4·104 V cm-1 |
| Mobilité des électrons | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| Mobilité des trous | ≤5·102 cm2 de V-1s-1 |
| Coefficient de diffusion d'électrons | ≤103 cm2s-1 |
| Coefficient de diffusion de trous | cm2 de ≤13 S1 |
| Vitesse de courant ascendant d'électron | 7,7·105 m S1 |
| Vitesse de courant ascendant de trou | 2·105 m S1 |
Mobilité et Hall Effect
| Mobilité de hall d'électron contre la température pour la
concentration différente d'électron : plein no= 4 de triangles·1015 cm-3, entoure le no= 4·1016cm-3, ouvrez le no= 1,7 de triangles·1016cm-3. Courbe-calcul solide pour InAs pur. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilité de hall d'électron contre la concentration d'électron. T =
77 K. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilité de hall d'électron contre la concentration d'électron T =
300 K | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Mobilité de hall d'électron (R·σ) en matériel compensé
| |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilité de hall d'électron contre le champ magnétique transversal,
T = 77 K. ND (cm-3) : 1. 1,7·1016 ; 2. 5,8·1016. |
T = 300 K le facteur de Hall d'électron dans Rhésus pur ~1,3 de n-InAs.
| Mobilité de hall de trou (R·σ) contre la température pour
différentes densités d'accepteur. Concentration en trou 300 K PO (cm-3) : 1. 5,7·1016 ; 2. 2,6·1017 ; 3. 4,2·1017 ; 4. 1,3·1018. | |
| Coefficient de hall contre la température pour différentes densités
d'accepteur. Concentration en trou 300 K PO (cm-3) : 1. 5,7·1016 ; 2. 2,6·1017 ; 3. 4,2·1017 ; 4. 1,3·1018. |
Propriétés de transport dans les champs électriques élevés
| La dépendance équilibrée de champ de la vitesse de glissement des
électrons, 300 K, F || (100). Calcul théorique | |
| La dépendance de champ de la vitesse de glissement des électrons
différents champs magnétiques transversaux pour de longues
impulsions (de micro-seconde). Résultats expérimentaux, 77 K Champ magnétique B (T) : 1. 0,0 ; 2. 0,3 ; 3. 0,9 ; 4. 1,5. | |
| La dépendance de champ de la vitesse de glissement des électrons,
77 K. Résultats d'exposition de lignes continues de calcul théorique pour le non-parabolicity différent α (eV-1) : 1. 2,85 ; 2. 2,0 ; 3. 1,5. Les points donnent des résultats expérimentaux pour sous très peu (les impulsions de picoseconde) |
Ionisation d'impact
| La dépendance de l'ionisation évalue pour le αi d'électrons et
troue le βi contre 1/F, T =77K |
Pour des électrons :
αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1 ;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)
Pour des trous :
βi = βoexp (- Fpo/F)
77 K
| 1,5·104 V cm-1 < F < 3·104 V cm-1 | 3·104 V cm-1 < F < 6·104 V cm-1 |
| βo = 4,7·105 cm-1 ; | βo = 4,5·106 cm-1 ; |
| Fpo = 0,85·105 V cm-1. | Fpo = 1,54·105 V cm-1 |
| Taux g de génération contre le champ électrique pour les champs
relativement bas, T = 77 K. La ligne continue donne le résultat du calcul. Résultats expérimentaux : cercles ouverts et pleins - InAs non dopé, ouvrez les triangles - InAs compensé. | |
| La tension claque et la panne mettent en place contre enduire la densité pour une jonction brusque de PN, 77 K. |
Paramètres de recombinaison
| Matériel de type n pur (aucun =2·10-15cm-3) | |
| La plus longue vie des trous | τp | 3·10-6 s |
| Longueur de diffusion Lp | Lp | 10 - µm 20. |
| Matériel de type p pur | |
| La plus longue vie des électrons | τn | 3·10-8 s |
| Longueur de diffusion Ln | Ln | 30 - µm 60 |
Taux de recombinaison extérieurs caractéristiques (cm S1) 102 - 104.
Coefficient radiatif de recombinaison
| 77 K | 1,2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1,1·10-10 cm3s-1 |
Coefficient de foreuse
| 300 K | 2,2·10-27cm3s-1 |
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PAM-XIAMEN est fier d'offrir le substrat de phosphure d'indium pour tous les différents genres de projets. Si vous recherchez des gaufrettes d'InAs, envoyez-nous l'enquête aujourd'hui pour apprendre plus au sujet de la façon dont nous pouvons travailler avec vous pour t'obtenir les gaufrettes d'InAs que vous avez besoin pour votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !
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