Le type de P, Zn-a enduit Crystal InAs Wafer simple, 2", catégorie d'essai

P dactylographient, la gaufrette d'InAs, 2", catégorie d'essai

PAM-XIAMEN offre la gaufrette d'InAs – arséniure d'indium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) ou VGF (gel vertical de gradient) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou non dopé dans l'orientation différente (111), (100) ou (110). PAM-XIAMEN peut fournir la gaufrette prête d'InAs de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.

2" spécifications de gaufrette d'InAs

Quel est le processus d'InAs ?

Des gaufrettes d'InAs doivent être préparées avant la fabrication de dispositif. Pour commencer, elles doivent être complètement nettoyées pour enlever n'importe quels dommages qui pourraient s'être produits pendant le processus de découpage en tranches. Les gaufrettes alors sont chimiquement mécaniquement polies/Plaranrized (CMP) pour l'étape matérielle finale de retrait. Ceci tient compte de l'accomplissement des surfaces comme un miroir superbe-plates avec une rugosité restante sur une échelle atomique. Ensuite cela est accompli, la gaufrette est prêt pour la fabrication.

Concentration en structure et en transporteur de bande de gaufrette d'InAs

Paramètres de base

Les dépendances de la température

La dépendance de la température du domaine d'énergie direct

Par exemple = 0,415 - 2,76·10-4·T2 (T+83) (eV),

l où T est la température en degrés K (0 <T < 300).
 

Densité efficace des états dans la bande de conduction

Nc≈1.68·1013·T3/2 (cm-3).

Densité efficace des états dans la bande de valence

Nv≈ 1,27·1015·T3/2 (cm-3).

Les dépendances l'égard la pression hydrostatique

Par exemple ≈ par exemple (0) + 4,8·10-3P (eV)
EL D'EL≈ (0) + 3,2·10-3P (eV)

l où P est pression dans kbar 

Domaine d'énergie se rétrécissant la haute enduisant des niveaux

Pour InAs de type n

ΔEg = 14,0·10-9·Nd1/3 + 1,97·10-7·Nd1/4 + 57,9·10-12·Nd1/2 (eV)

Pour InAs de type p

ΔEg = 8,34·10-9·Na1/3 + 2,91·10-7·Na1/4 + 4,53·10-12·Na1/2 (eV)

Les masses efficaces

Électrons :

Trous :

La masse efficace de la densité des états système mv = 0.41mo

Donateurs et accepteurs

Énergies d'ionisation des donateurs peu profonds

≥ 0,001 (eV) : Se, S, Te, GE, SI, Sn, Cu

Énergies d'ionisation des accepteurs peu profonds, eV

Recherchez-vous une gaufrette d'InAs ?

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