Type de N, substrat d'InSb, 3", catégorie factice - semi-conducteur composé

N dactylographient, le substrat d'InSb, 3", la catégorie factice

PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes d'InSb de monocristal de grande pureté (antimoniure d'indium) pour les photodiodes ou le dispositif photoelectromagnetic, les capteurs de champ magnétique utilisant la magnétorésistance ou les transistors effet Hall et rapides (en termes de commutation dynamique) dus la mobilité des porteuses élevée d'InSb, dans certains des détecteurs de la caméra infrarouge de rangée sur le télescope spatial de Spitzer. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 1 pouce 3 pouces, gaufrettes peuvent être produits dans diverses épaisseurs et différentes orientations (100), (111), (110) avec les gaufrettes polies et les gaufrettes vides. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie mécanique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offrent également le matériel d'InSb aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.

N dactylographient, le substrat d'InSb, 3", la catégorie factice

Propriétés optiques de gaufrette d'InSb

Indice de réfraction infrarouge

Pour 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n

Mev de l'énergie RX1= 0,5 de Rydberg d'état fondamental.

Recherchez-vous un substrat d'InSb ?

PAM-XIAMEN est fier d'offrir le substrat de phosphure d'indium pour tous les différents genres de projets. Si vous recherchez des gaufrettes d'InSb, envoyez-nous l'enquête aujourd'hui pour apprendre plus au sujet de la façon dont nous pouvons travailler avec vous pour t'obtenir les gaufrettes d'InSb que vous avez besoin pour votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !

Le matériel avancé Cie. de Xiamen Powerway, limité (PAM-XIAMEN) est une entreprise de pointe pour la cristallogénèse de semi-conducteur de matériel de semi-conducteur composé, le développement de processus et l'épitaxie de intégration, se spécialisant dans la recherche et la production des gaufrettes de semi-conducteur composé, l sont le champ deux principal : Matériel de SiC&GaN (sic gaufrette et épitaxie, gaufrette de GaN et gaufrette d'epi) et matériel d'III-V (service de substrat et d'epi d'III-V : Gaufrette d'INP, gaufrette de GaSb, gaufrette de GaAs, gaufrette d'InAs et gaufrette d'InSb). Nos gaufrettes sont très utilisées dans l'éclairage de semi-conducteur de LED, communication sans fil, énergie solaire, le dispositif infrarouge, laser, détecteurs et les dispositifs de puissance de semi-conducteur, y compris des dispositifs de puissance, dispositifs hautes températures et dispositifs photoélectriques, l, gaufrette de GaN comprenant GaN sur le SI, GaN dessus sic et GaN sur le saphir sont pour mini/micro LED, électronique de puissance et micro-onde rf.

En tant que principale société professionnelle, nous sommes commis améliorer constamment la qualité des produits existants. PAM-XIAMEN a une équipe technique forte de R&D, composée d'étudiants de troisième cycle, des médecins, maîtres, et a une force forte de R&D. L'épine dorsale technique de la société a été engagée dans la préparation matérielle et la conception et le développement relatifs d'équipement pour presque 30years, et a la recherche en profondeur sur les propriétés d'examen médical, chimiques et électriques des matériaux, procédé matériel de préparation. L'accumulation de beaucoup d'années du dépôt théorique et d'expérience pratique du personnel scientifique et technologique fait la société ont des analyses uniques et des avantages uniques dans le développement des matériaux et de l'équipement appropriés, tout en s'assurant que le plan de conception de performance des produits et d'équipement de la société répondent aux besoins techniques et technologiques réels des utilisateurs.