Gaufrette non dopée d'InSb, 2", en tant que - la gaufrette coupée, la gaufrette mécanique, ou gaufrette polie
Brand Name:PAM-XIAMEN
Minimum Order Quantity:1-10,000pcs
Delivery Time:5-50 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:China
Supply Ability:10,000 wafers/month
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#506B, centre d'affaires de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zone de pointe, Huli, Xiamen 361006, Chine
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Gaufrette non dopée d'InSb, 2", gaufrette de Comme-coupe, gaufrette
mécanique, ou gaufrette polie
PAM-XIAMEN fournit la croissance de gaufrette d'InSb de monocristal (antimoniure d'indium) par la méthode de Czochralski encapsulée par liquide (LEC). L'antimoniure d'indium (InSb) peut être fourni comme gaufrettes avec les finitions de comme-coupe, gravée l'eau-forte ou poli et est disponible dans un large éventail de concentration en transporteur, le diamètre et le thickness.PAM-XIAMEN peuvent fournir la gaufrette prête d'InSb de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE.
Gaufrette non dopée d'InSb, 2", gaufrette de Comme-coupe, gaufrette mécanique, ou gaufrette polie
Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
| Spécifications de gaufrette | |
| Article | Caractéristiques |
| Diamètre de gaufrette |
2 ″ 50.5±0.5mm |
| Orientation en cristal |
″ 2 (111) AorB±0.1° |
| Épaisseur |
2 ″ 625±25um |
| Longueur plate primaire |
2 ″ 16±2mm |
| Longueur plate secondaire |
2 ″ 8±1mm |
| Finition extérieure | P/E, P/P |
| Paquet | Conteneur de gaufrette ou cassette Epi-prêt et simple de CF |
| Élém. élect. et enduisant des spécifications | |
| Type de conduction | de type n |
| Dopant | Non dopé |
| Cm2 d'EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 de cm de mobilité | ≥4*105 |
| Concentration en transporteur cm-3 | 5*1013-3*1014 |
Concentration en structure et en transporteur de bande de gaufrette
d'InSb
La concentration en structure et en transporteur de bande de la gaufrette d'InSb incluent des paramètres de base, la température, des dépendances, la dépendance de domaine d'énergie l'égard la pression hydrostatique, des masses efficaces, des donateurs et des accepteurs
Paramètres de base
Les dépendances de la température
La dépendance de domaine d'énergie l'égard la pression
hydrostatique
Les masses efficaces
Donateurs et accepteurs
Paramètres de base
| Domaine d'énergie | 0,17 eV |
| Séparation d'énergie (EΓL) entre Γ et L vallées | 0,51 eV |
| Séparation d'énergie (EΓX) entre les vallées de Γ et de X | 0,83 eV |
| Division rotation-orbitale d'énergie | 0,80 eV |
| Concentration en transporteur intrinsèque | 2·1016 cm-3 |
| Résistivité intrinsèque | 4·10-3 Ω·cm |
| Densité efficace de bande de conduction des états | 4,2·1016 cm-3 |
| Densité efficace de bande de valence des états | 7,3·1018 cm-3 |
| Concentration en structure et en transporteur de bande d'InSb 300 K Par exemple = 0,17 eV EL = 0,68 eV EV d'EX= 1,0 Eso = 0,8 eV |
Les dépendances de la température
La dépendance de la température du domaine d'énergie
Par exemple = 0,24 - 6·10-4·T2 (T+500) (eV),
l où T est les températures en degrés K (0 < T < 300).
Densité efficace des états dans la bande de conduction
Nc~ 8·1012·T3/2 (cm-3)
Densité efficace des états dans la bande de valence
Nn | 1,4·1015·T3/2 (cm-3).
Concentration en transporteur intrinsèque
Ni = (OR·Nν) 1/2exp (- par exemple (2kbT))
Pour 200K < T < 800 K Ni = 2,9·1011 (2400 - T) 3/4
·(1+2.7·10-4·T)·T3/2 ·exp (- (0,129 - 1,5·) 10-4T/(2kbT)) (cm-3)
| Les dépendances de la température de la concentration en transporteur intrinsèque. | |
| Niveau de Fermi contre la température pour différentes concentrations des donateurs peu profonds et des accepteurs. |
Les dépendances l'égard la pression hydrostatique
Par exemple ≈ par exemple (0) + 13,7·10-3P - 3,6·10-5P2 (eV)
EL≈EL (0) + 4,7·10-3P - 1,1·10-5P2 (eV)
EX≈EX (0) - 3,5·10-3P + 0,64·10-5P2 (eV),
l où P est pression dans kbar.
Les masses efficaces
| Électrons : | |
| Pour la Γ-vallée | mΓ = 0.0.14mo |
| Non-parabolicity : E (1+αE) = h2k2/(2mΓ) | α = 4,1 (eV-1) |
| Dans la masse efficace de L-vallée de la densité des états | mL=0.25mo |
| La masse efficace d'électron contre la concentration d'électron |
| Trous : | MH = 0.43mo |
| Lourd | MH = 0.43mo |
| Lumière | mlp = 0.015mo |
| Bande de fente- | mso = 0.19mo |
| La masse efficace de la densité des états | système mv = 0.43mo |
Donateurs et accepteurs
Énergies d'ionisation des donateurs peu profonds ~0,0007 (eV) :
Se, S, Te.
Énergies d'ionisation des accepteurs peu profonds (eV) :
| Cd | Zn | Cr | Cu° | Cu |
| 0,01 | 0,01 | 0,07 | 0,028 | 0,056 |
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PAM-XIAMEN est fier d'offrir le substrat de phosphure d'indium pour tous les différents genres de projets. Si vous recherchez des gaufrettes d'InSb, envoyez-nous l'enquête aujourd'hui pour apprendre plus au sujet de la façon dont nous pouvons travailler avec vous pour t'obtenir les gaufrettes d'InSb que vous avez besoin pour votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !
Gaufrette non dopée d'InSb, 2", en tant que - la gaufrette coupée, la gaufrette mécanique, ou gaufrette polie
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